透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术涉及透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向一侧依次具备基材层(2)和透明导电层(3)。对于利用热机械分析装置测定的尺寸变化率，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在30℃以上且140℃以下之间具有峰。尺寸变化率为：在与厚度方向正交的面方向上，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在与165℃下加热处理60分钟后的热收缩率为最大的方向正交的方向上的尺寸变化率。透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电性薄膜。

技术介绍

1、以往，已知有依次具备基材和透明导电层的透明导电性薄膜。这样的透明导电性薄膜适合在各种器件(例如，接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热线控制构件、天线构件、电磁波屏蔽构件、加热器构件、照明装置、及图像显示装置等)中使用。

2、作为这样的透明导电性薄膜，例如，提出了通过利用溅射法(使用氪作为溅射气体的溅射法)在聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上配置透明导电膜而得到的透明导电性薄膜(例如，参照专利文献1的实施例3。)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开平5-334924号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、另一方面，有时根据目的及用途，对透明导电性薄膜中的透明导电膜进行加热而使其结晶化。这样的情况下，若透明导电性薄膜中的基材层因加热而膨胀，则有时由于基材层与透明导电膜的尺寸变化率之差而使透明导电膜产生裂纹。

3、另外，对透明导电性薄膜要求低电阻。

4、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向一侧依次具备基材层和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层包含铟锡复合氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述稀有气体原子为氪原子。

4.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述基材层具备基材和配置于所述基材的厚度方向一个面的易粘接层。

5.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述基材层具备基材，

【技术特征摘要】

1.一种透明导电性薄膜，其朝着厚度方向一侧依次具备基材层和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层包含铟锡复合氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸦田泰介，藤野望，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：