传送晶圆的机械手抓手、真空机械手及机械手抓手制造方法技术

技术编号:42791944 阅读:48 留言:0更新日期:2024-09-21 00:48
本申请提供一种传送晶圆的机械手抓手、真空机械手及机械手抓手制造方法,应用于半导体制造设备技术领域,包括位于真空机械手近端的连接部和远端的抓手部,抓手部包括第一指部、第二指部和凹槽,其特征在于:连接部的一端与真空机械手连接;抓手部开设有凹槽,凹槽与机械手抓手主体形成第一指部和第二指部;机械手抓手主体的上端面至少部分涂覆有凝胶层。本申请提供的机械手抓手可以在晶圆进行LTO工艺时稳定夹取晶圆,夹取的晶圆不易偏移位置,进一步提升半导体制造的效率和良品率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造设备,具体涉及一种传送晶圆的机械手抓手、真空机械手及机械手抓手制造方法


技术介绍

1、现有技术中,lto层在半导体制造中一般被运用在硬掩模层,作用是实现准确的图案定义和引导,确保芯片上各部分元件的位置精确、形状正确,此外硬掩模还能防止材料产生不必要的移动和反应,以保证产品良率的提升。lto工艺通常在220℃以下的温度条件下进行沉积,这种较低的温度可以不影响前层的有机底部抗反射涂层的形态,故通常被应用于绝缘层和缓冲层沉积前,有利于提升芯片的稳定性和可靠性。

2、研究测试发现,lto膜具有着较高的应力,由于这一特性,沉积lto膜后容易造成晶圆bow值(bow height,晶圆表面上形成的微小形变的高度)过高,也即弯曲程度过高的问题。过高的bow值会导致晶圆表面不平整,导致晶圆和用于传送晶圆的真空机械手之间的摩擦力很小,使得在机台传送晶圆过程中,晶圆位置发生偏移的风险增大。而晶圆偏移可能会对后续晶圆的加工制造产生危害,如导致晶圆上的图案或结构损坏、开腔取出晶圆造成污染、影响后续的生产效率等。

3、因此,在半导体制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种传送晶圆的机械手抓手,包括机械手抓手主体和凝胶层,所述机械手抓手主体包括近端的连接部和远端的抓手部,所述抓手部包括第一指部、第二指部和凹槽,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种传送晶圆的机械手抓手,所述凝胶层包括第一涂覆点、第二涂覆点和第三涂覆点,其特征在于:

3.根据权利要求1至2任一所述的一种传送晶圆的机械手抓手,其特征在于,所述凝胶层包含以下组分:

4.一种传送晶圆的真空机械手,其特征在于,包括:

5.一种机械手抓手的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤S3包括...

【技术特征摘要】

1.一种传送晶圆的机械手抓手,包括机械手抓手主体和凝胶层,所述机械手抓手主体包括近端的连接部和远端的抓手部,所述抓手部包括第一指部、第二指部和凹槽,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的一种传送晶圆的机械手抓手,所述凝胶层包括第一涂覆点、第二涂覆点和第三涂覆点,其特征在于:

3.根据权利要求1至2任一所述的一种传送晶圆的机械手抓手,其特征在于,所述凝胶层包含以下组分:

4.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈妍严翔闫晓晖
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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