低温键合方法技术

本发明专利技术属于晶圆键合技术领域，公开了一种低温键合方法。该低温键合方法包括：A：提供一腔体，将待键合的第一样品和第二样品置于腔体内；B：对第一样品和第二样品做独立的降温处理，使得第一样品的温度为T1，第二样品的温度为T2；温度T1、T2分别处于0℃以下；C：对腔体抽真空，使得腔体内的真空度达到预定值；D：对第一样品和第二样品做辐照处理，使得第一样品和第二样品的表面活化；E：将第一样品和第二样品进行键合，形成第一键合体；键合时，第一样品的温度为T3，第二样品的温度为T4；T3、T4分别处于0℃以下。本发明专利技术提供的低温键合方法，能有效提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆键合，尤其涉及一种低温键合方法。

技术介绍

1、利用直接键合技术能够使不同材质的晶圆或芯片通过原子级接触以形成共价键，进而结合在一起。直接键合技术能够使键合体达到单一材质晶圆或传统加工方法难以实现的结构性能，因而在微电子、微机电或多功能芯片集成等领域具有很高的应用价值。

2、若想对熔点较低的材料或具有较大的热膨胀系数失配的材料进行直接键合，传统的高温键合方法不再适用。现有技术发展了等离子体活化键合工艺，即在高真空环境室温键合前，利用等离子体对键合材料进行表面处理，使材料产生洁净表面并使材料表面产生悬挂化学键。然而该种键合方式制备的键合体存在因热膨胀系数失配导致翘曲的问题。

3、因此，亟需一种低温键合方法，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种低温键合方法，能够实现样品的低温键合，能够有效缓解键合体因热膨胀系数失配导致的翘曲；且低温键合能够在键合体内部预施加内应力，预施加的内应力会改变材料内部的晶格间距，相应地改变电子能带结构和密度，从而改本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.低温键合方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低温键合方法，其特征在于，在所述步骤A与所述步骤B之间还包括步骤A1：对所述腔体（100）抽真空处理。

3.根据权利要求1所述的低温键合方法，其特征在于，在所述步骤A与所述步骤B之间还包括步骤A1：对所述腔体（100）抽真空后回填干燥气体。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低温键合方法，其特征在于，所述T1、所述T2、所述T3、所述T4分别独立的设置为-300℃～0℃。

5.根据权利要求1-3任一所述的低温键合方法，其特征在于，所述T1与所述T3的温差绝对值小于10℃；所述T2...

【技术特征摘要】

1.低温键合方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低温键合方法，其特征在于，在所述步骤a与所述步骤b之间还包括步骤a1：对所述腔体（100）抽真空处理。

3.根据权利要求1所述的低温键合方法，其特征在于，在所述步骤a与所述步骤b之间还包括步骤a1：对所述腔体（100）抽真空后回填干燥气体。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低温键合方法，其特征在于，所述t1、所述t2、所述t3、所述t4分别独立的设置为-300℃～0℃。

5.根据权利要求1-3任一所述的低温键合方法，其特征在于，所述t1与所述t3的温差绝对值小于10℃；所述t2与所述t4的温差绝对值小于10℃。

6.根据权利要求1-3任一项所述的低温键合...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯策，母凤文，谭向虎，刘福超，郭超，
申请(专利权)人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：