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本发明属于晶圆键合技术领域，公开了一种低温键合方法。该低温键合方法包括：A：提供一腔体，将待键合的第一样品和第二样品置于腔体内；B：对第一样品和第二样品做独立的降温处理，使得第一样品的温度为T1，第二样品的温度为T2；温度T1、T2分别处于...
该专利属于天津中科晶禾电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中科晶禾电子科技有限责任公司授权不得商用。

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