【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
1、化学机械研磨(chemical mechanical planarization，cmp)设备具有研磨和清洗两个单元，清洗单元中还设有多个清洗槽来满足晶圆的清洗要求，晶圆通过移动卡爪的移动取放完成在各槽体中的传递。
2、晶圆从槽体取出移动到另一槽体的过程中，晶圆及移动卡爪会带出一些清洗液滴落在槽体盖板上，很容易在盖板上形成大颗粒海盐状结晶，随着结晶增多，很可能堵塞排液口导致漏液报警，也有可能掉进清洗槽对晶圆造成刮伤导致报废。
技术实现思路
1、本申请实施例要解决的技术问题是结晶堵塞导致的积水漏液报警和晶圆因结晶刮伤导致的报废。
2、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种晶圆清洗装置，包括：
3、晶圆清洗装置主体，其具有坡度的顶面包括至少两个盖板，每个盖板上均具有清洗槽，相邻盖板间设置第一沟槽，所述顶面上垂直于所述第一沟槽的一侧设置第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽相连，所述第...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，用于清洗化学机械研磨设备研磨后的晶圆，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，用于清洗化学机械研磨设备研磨后的晶圆，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧志城，陈慧新，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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