等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

提供能够均匀地处理衬底的技术。提供等离子体生成装置及使用其的技术，所述等离子体生成装置具有连接于高频电源的第1电极和接地的第2电极，上述第1电极与上述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置，上述第1电极与上述第2电极中的任一者的电极相对于相邻的另两根电极而被共用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、在半导体器件制造工序之一中，有时进行下述衬底处理：将衬底搬入衬底处理装置的处理室内，对供给至处理室内的原料气体和反应气体等使用等离子体而使其活化，在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜、或者除去各种膜。等离子体是为了促进沉积的薄膜的反应、或从薄膜除去杂质、或辅助成膜原料的化学反应等而使用(例如，参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015-92637号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、然而，随着半导体器件制造中的阶段性的微细化，要求于更低温度进行衬底处理。因此，为了均匀地处理作为处理对象的规定的膜，正考虑使作为等离子体源的高频电力增大等解决方法。但是，增大高频电力时，存在难以均匀地处理规定的膜的情况。

3、本专利技术的目的在于提供能够均匀地处理衬底的技术。

4、用于解决课题的手段

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【技术保护点】

1.衬底处理方法，通过将下述工序进行规定次数，在衬底上形成氮化硅膜，

【技术特征摘要】

1.衬底处理方法，通过将下述工序进...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤明博，竹田刚，广地志有，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：