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等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:42771701
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提供能够均匀地处理衬底的技术。提供等离子体生成装置及使用其的技术,所述等离子体生成装置具有连接于高频电源的第1电极和接地的第2电极,上述第1电极与上述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置,上述第1电极与上述第2电极中的任一者的电极相对于...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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