【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于dc-dc的高可靠多模式软启动电路，采用外部连接电容或浮空均可实现dc-dc软启动，属于供配电。
技术介绍
1、现有技术中，dc-dc开关电源在上电过程中由于启动前负载电容上没有电荷，输出电压为0v，电路瞬间开启后，输出电压反馈到误差放大器的比较电压为一个很小的值，此时误差放大器处于非平衡状态，功率管驱动信号pwm输出占空比达到最大值。功率管开启之后，对电容充电产生一个很大的浪涌电流。此时，通过功率管的电流很大，容易损毁电路系统。软启动电路设计思想是通过限制pwm输出的占空比，缓慢提高输出电压，驱动信号pwm占空比从最小值开始逐渐变化，不会使功率管在较长时间一直导通，从而避免了浪涌电流与过冲电压。
2、现有的软启动电路一般是采用在电路外部增加软启动电容，电路内部的固定偏置电流对外部电容进行充电实现电路的软启动，但此种方式需要增加外围元器件数量，不利于集成化，同时当外部电容工作异常，无法控制电路正常软启动将带来电路损毁的风险；另一种是通过内部设计dac控制软启动步进，采用此方式将带来电路结构复杂的弊端，...
【技术保护点】
1.一种应用于DC-DC的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，包括充电电流产生电路、内部充电电路、比较器COMP1、MOS开关管和逻辑电路；
2.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，当DCDC芯片采用外部电容进行软启动时，充电电流产生电路产生的充电电流对DCDC芯片的SS引脚的电容充电，通过调整电容大小改变软启动时间。
3.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，当DCDC芯片的SS端无外部电容时，开关管N1的源端按照一定的斜率上升，控制DCDC芯片的输出电压也缓慢上升，从而实现无外部电容的软启动；当DCDC...
【技术特征摘要】
1.一种应用于dc-dc的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，包括充电电流产生电路、内部充电电路、比较器comp1、mos开关管和逻辑电路；
2.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，当dcdc芯片采用外部电容进行软启动时，充电电流产生电路产生的充电电流对dcdc芯片的ss引脚的电容充电，通过调整电容大小改变软启动时间。
3.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，当dcdc芯片的ss端无外部电容时，开关管n1的源端按照一定的斜率上升，控制dcdc芯片的输出电压也缓慢上升，从而实现无外部电容的软启动；当dcdc芯片的ss端外接电容时，由于充电电流较小，ss端电压上升缓慢，内部充电电路早已完成对开关管n1的导通，并不会影响通过外部电容控制的软启动时间。
4.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，外部参考电压vrefh和外部参考电压vrefl由dcdc芯片的带隙基准电路经过分压电阻形成的2个与温度和电源电压无关的比较电压信号。
5.根据权利要求1所述的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，充电电流产生电路包括pmos管p11、pmos管p12、pmos管p13、pmos管p14、串联电阻r11、串联电阻r12、串联电阻r13、串联电阻r14、修调nmos管n11、修调nmos管n12、偏置电流控制管n13，四个pmos管组成共源共栅电流镜，pmos管p11和p13的源端接内部电源vdd，栅端共同接到串联电阻r11的一端和pmos管p12的漏端，pmos管p11的漏端连接pmos管p12的源端，pmos管p12的漏端连接pmos管p14的源端，pmos管p12和pmos管p14的栅端连接至串联电阻r11的另一端和偏置电流控制管n13的漏端，偏置电流控制管n13的栅端接dcdc芯片内部偏置电路的偏置输出电压vbias，偏置电流控制管n13n13的源端接串联电阻r12的一端，串联r12的另一端接串联r13的一端，串联r14分别接串联r13的另一端和地，修调nmos管n11的漏端和源端接串联电阻r13的两端，修调nmos...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋奎鑫，康磊，李阳，莫艳图，王秀芝，曾奇宇，徐小珺，刘凌云，徐凯峰，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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