一种用于NAND闪存的编码方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于NAND闪存的编码方法及装置，包括采用预置素数幂、预置本原元和有限域基矩阵，构建位移值矩阵；基于位移值矩阵中前预置矩阵行列序号位的矩阵行列数据，对预置局部基矩阵进行扩展，确定局部稀疏校验矩阵和局部单位矩阵；采用局部稀疏校验矩阵、局部单位矩阵和预置全零矩阵，构建目标局部矩阵；对预置全局基矩阵进行扩展，确定全局稀疏校验矩阵；采用全局稀疏校验矩阵和预置单位矩阵，构建目标全局矩阵；根据待编码码字的信息位矩阵、目标全局矩阵和目标局部矩阵，生成目标编码；解决了现有的用于NAND闪存的GC‑LDPC编解码技术需要采用传统的高斯消元法进行编码，导致编码复杂度极高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信，尤其涉及一种用于nand闪存的编码方法及装置。

技术介绍

1、随着nand闪存(nand flash)技术的快速发展，一个nand闪存单元可以存储的信息位数越来越多，从slc(single level cell，单层式存储)进化到mlc(multi-level cell，双层式存储)、tlc(trinary-level cell，三层式存储)甚至qlc(quad-level cell，四层式存储)。为了进一步提高闪存的存储密度，nand闪存的制造工艺已经完全从2d平面技术过渡到3d垂直堆叠技术。存储密度的提高极大地降低了闪存单位成本，但是也使闪存单元更容易受到各种噪声的影响，这对nand闪存的可靠性提出了重大挑战。

2、纠错码(error correction code,ecc)技术是提高存储数据可靠性的有效手段。在ssd(solid state disk)主控中，最早采用的是bch(bose-chaudhuri-hocquenghem)码，它采用硬判决进行译码，然而，bch码的纠错能力有限，无法解决过高的原始误码率(r本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于NAND闪存的编码方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于NAND闪存的编码方法，其特征在于，所述基于所述位移值矩阵中前预置矩阵行列序号位的矩阵行列数据，对预置局部基矩阵进行扩展，确定局部稀疏校验矩阵和局部单位矩阵的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的用于NAND闪存的编码方法，其特征在于，所述预置全局基矩阵包括第一全局基矩阵、第二全局基矩阵、第三全局基矩阵和第四全局基矩阵；所述目标矩阵行列数据包括第一目标矩阵行列数据和第二目标矩阵行列数据；所述通过所述位移值矩阵中的目标矩阵行列数据对预置全局基矩阵进行扩展，确定全局稀疏校验矩阵的步骤，...

【技术特征摘要】

1.一种用于nand闪存的编码方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于nand闪存的编码方法，其特征在于，所述基于所述位移值矩阵中前预置矩阵行列序号位的矩阵行列数据，对预置局部基矩阵进行扩展，确定局部稀疏校验矩阵和局部单位矩阵的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的用于nand闪存的编码方法，其特征在于，所述预置全局基矩阵包括第一全局基矩阵、第二全局基矩阵、第三全局基矩阵和第四全局基矩阵；所述目标矩阵行列数据包括第一目标矩阵行列数据和第二目标矩阵行列数据；所述通过所述位移值矩阵中的目标矩阵行列数据对预置全局基矩阵进行扩展，确定全局稀疏校验矩阵的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的用于nand闪存的编码方法，其特征在于，所述根据待编码码字的信息位矩阵、所述目标全局矩阵和所述目标局部矩阵，生成目标编码的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩国军，莫劲洪，翟雄飞，尹蔺欣，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：