一种ESD保护与隔离结构、MEMS器件及制造方法技术

本申请公开了一种ESD保护与隔离结构、MEMS器件及制造方法，涉及MEMS传感器技术领域。其中MEMS器件包括基板、设置于基板表面的固定电极、设置于固定电极表面的可动部，所述可动部与固定电极之间预留有微小间隙以实现可动部在静电或其他驱动下的机械运动；MEMS器件还包括设置于固定电极表面上的保护部，所述保护部位于可动部周侧并接地。本申请能够在不改变MEMS器件制造工艺的同时，起到在生产制造及使用过程中对MEME器件可动部进行静电保护和隔离的作用，从而确保MEMS器件能够正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及mems传感器，尤其是涉及一种esd保护与隔离结构、mems器件及制造方法。

技术介绍

1、mems（microelectromechanical systems）器件在生产、传递、包装、运输、封测、使用等各环节都可能接触到静电。例如，在mems器件生产过程中，材料沉积、刻蚀、研磨、减薄等工艺设备均有可能在接触mems基底/晶圆时产生大量静电；在进行mems器件传递和测试观察过程中，操作人员工作服与工作台面、座椅摩擦时,可在服装表面产生6000v以上的静电电压，进而传递到mems器件上；在对已完成生产的mems器件进行包装时，运输时器件表面与包装材料摩擦能产生几百伏的静电电压；在对包装好的mems器件进行运输时，用高分子材料制作的各种料盒、周转箱、pcb架等都可能因摩擦、冲击产生1～3.5kv的静电电压；在对mems器件成本进行封装、测试和标定时，电烙铁、波峰焊机、再流焊炉、贴装机、调试和检测等设备内的高压变压器、交/直流电路都会在设备上产生静电。在mems器件的日常使用过程中，接触到mems器件的人或环境均有可能将自身携带的静电传递给mems器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ESD保护与隔离结构，其特征在于，包括设置于MEMS器件基板（1）的隔离层（10）顶部的保护部，所述保护部位于MEMS器件可动部（8）的周侧；

2.根据权利要求1所述的一种ESD保护与隔离结构，其特征在于，所述保护部包括所述保护块（7）时：

3.一种ESD保护与隔离结构，其特征在于，包括设置于MEMS器件基板（1）顶部的保护部，所述保护部位于MEMS器件可动部（8）的周侧；

4.根据权利要求3所述的一种ESD保护与隔离结构，其特征在于，所述保护部包括保护块（7）时：

5.一种MEMS器件，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的ESD...

【技术特征摘要】

1.一种esd保护与隔离结构，其特征在于，包括设置于mems器件基板（1）的隔离层（10）顶部的保护部，所述保护部位于mems器件可动部（8）的周侧；

2.根据权利要求1所述的一种esd保护与隔离结构，其特征在于，所述保护部包括所述保护块（7）时：

3.一种esd保护与隔离结构，其特征在于，包括设置于mems器件基板（1）顶部的保护部，所述保护部位于mems器件可动部（8）的周侧；

4.根据权利要求3所述的一种esd保护与隔离结构，其特征在于，所述保护部包括保护块（7）时：

5...

【专利技术属性】
技术研发人员：马琳，张群英，
申请(专利权)人：深圳市普瑞集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：