硅基液晶器件及其形成方法技术

技术编号:42723737 阅读:35 留言:0更新日期:2024-09-13 12:10
一种硅基液晶器件及其形成方法,其中器件包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的驱动电路层;位于驱动电路层上的液晶层,液晶层包括相对的第一侧和第二侧,半导体衬底和驱动电路层位于液晶层的第一侧;位于液晶层上的透明电极;位于透明电极上的透明衬底;位于透明衬底上的偏光片,透明电极、透明衬底和偏光片位于液晶层的第二侧;第一磁性层和第二磁性层,第一磁性层和第二磁性层分别位于液晶层的液晶层的第一侧和第二侧。通过第一磁性层和第二磁性层之间的作用力以抵抗液晶层产生形变,进而提升液晶器件的显示效果。另外,通过磁性产生的作用力无需在液晶器件的显示区域形成支撑件,进而不会影响显示的画面质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造,尤其涉及一种硅基液晶器件及其形成方法


技术介绍

1、近年来,电子显示技术得到了迅速的发展,传统技术的阴极射线管显示器已逐渐被例如液晶显示器(lcd)的新型显示设备所取代。许多计算机终端以及小型的便携数码产品均依赖于液晶显示器来输出视频、文本等内容。但遗憾的是,液晶面板的成品率较低,特别是大尺寸的液晶面板制作仍较为困难,生产成本较高。

2、除了液晶显示器,其他形式的显示技术也得到了长足的发展,例如投影显示设备。这种投影显示设备内置有液晶显示模块,其通过透镜将液晶显示模块中的特定像素单元投影到较大的显示屏上,进而显示运动画面、文本等内容。

3、此外,还有一种称为“数字光处理”(dlp)的显示技术也得到了广泛的应用。所述dlp显示技术又被称为“微镜”技术,其核心器件是一个包含有由几十万个微镜组成的微镜阵列,所述微镜阵列以固定数目的行、列排列,例如800行、600列的微镜阵列。所述微镜阵列中的每个微镜单元都连接有铰链结构,以及对应的驱动器。在与所述铰链结构连接的执行器的静电驱动作用下,对应的微镜以较高频率进行倾斜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述第一磁性层包括:若干第一磁性体、以及覆盖若干所述第一磁性体的第一保护层;所述第二磁性层包括:若干第二磁性体、以及覆盖若干所述第二磁性体的第二保护层。

3.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,若干所述第一磁性体和对应的所述若干所述第二磁性体之间的磁性相同。

4.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,若干所述第一磁性体和所述若干所述第二磁性体之间的磁性相反。

5.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,部分所述第一磁性体和对应的部分所...

【技术特征摘要】

1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述第一磁性层包括:若干第一磁性体、以及覆盖若干所述第一磁性体的第一保护层;所述第二磁性层包括:若干第二磁性体、以及覆盖若干所述第二磁性体的第二保护层。

3.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,若干所述第一磁性体和对应的所述若干所述第二磁性体之间的磁性相同。

4.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,若干所述第一磁性体和所述若干所述第二磁性体之间的磁性相反。

5.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,部分所述第一磁性体和对应的部分所述第二磁性体的磁性相同,部分所述第一磁性体和对应的部分所述第二磁性体的磁性相反。

6.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述液晶层包括:封框胶层,所述封框胶层内具有容腔、位于所述容腔内的液晶材料层。

7.如权利要求6所述的硅基液晶器件,其特征在于,还包括:位于所述容腔内且相对设置的第一配向膜和第二配向膜,所述第一配向膜位于所述驱动电路层表面,所述第二配向膜位于所述透明电极表面。

8.如权利要求7所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述第一磁性层位于所述半导体衬底和所述驱动电路层之间、或者位于所述驱动电路层和所述第一配向膜之间。

9.如权利要求7所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述第二磁性层位于所述偏光片和所述透明衬底之间、或者位于所述透明衬底和所述透明电极之间、或者位于所述透明电极和所述第二配向膜之间。

10.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述透明电极的材料包括:氧化铟锡。

11.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述透明衬底包括:透明玻璃衬底或透明石英衬底。

12.如权利要求2所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述第一保护层的材料包括:氧化硅、氮化硅或有机树脂;所述第二保护层的材料包括:氧化硅、氮化硅或有机树脂。

13.一种硅基液晶器件的形成方法,其特征在于,包括:

14.如权利要求13所述的硅基液晶器件的形成方法,其特征在于,所述第一磁性层包括:若干第一磁性体、以及覆盖若干所述第一磁性体的第一保护层;所述第二磁性层包括:若干第二磁性体、以及覆盖若干所述第二磁性体的第二保护层。

15.如权利要求14所述的硅基液晶器件的形成方法,其特征在于,若干所述第一磁性体和对应的所述若干所述第二磁性体...

【专利技术属性】
技术研发人员:史鲁斌
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:

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