具有13族元素氮化物单晶基板的层叠体制造技术

针对具有13族元素氮化物单晶上的缓冲层、缓冲层上的厚度700nm以下的沟道层、以及沟道层上的势垒层的层叠体，抑制载流子面密度、载流子迁移率的降低。本层叠体1具备：13族元素氮化物单晶基板2，其由13族元素氮化物单晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b；缓冲层3，其设置在13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a上；沟道层4，其设置在缓冲层3上；以及势垒层5，其设置在沟道层4上。沟道层4的厚度为700nm以下，13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a的偏角为0.4°以上1.0°以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及具有13族元素氮化物单晶基板的层叠体。

技术介绍

1、氮化物半导体器件不仅应用于光器件，还广泛应用于高迁移率晶体管(hemt)等电子器件等。例如已知有在由半绝缘性的掺杂有锌的氮化镓单晶构成的自立基板上形成有缓冲层、沟道层、势垒层的外延基板。

2、例如，专利文献1中公开了：对于碳化硅基板上的hemt结构，为了同时抑制漏电流和电流崩塌，使沟道层的厚度小于500nm。

3、另外，在异种材料基板上异质外延生长的氮化镓膜中存在如下问题：因氮化镓与异种材料基板之间的晶格常数、热膨胀系数的差异而产生大量缺陷。因此，还研究了在氮化镓基板上同质外延生长氮化镓膜。

4、使用氮化镓基板的情况下，在对hemt元件进行高电压驱动时，为了防止源电极与漏电极之间的漏电流，期望利用半绝缘性的氮化镓基板，为了实现半绝缘性的氮化镓基板，已知将像过渡金属元素这样的形成深受主能级的元素掺杂到氮化镓单晶中是有效的。专利文献2、3、4中记载了：作为掺杂元素，使用锌、锰、铁。

5、专利文献5、6中公开了：作为hemt元件用的外延基板，使用掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠体，其具备：

2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种层叠体，其具备：

2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的层叠体，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：野中健太朗，田村贵洋，前原宗太，仓冈义孝，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：