【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体生长，更具体地涉及一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、直拉单晶法又称czochralski法(柴可拉斯基法，简称为cz法)，是指将高纯度的多晶硅材料在封闭的高真空或稀有气体(或惰性气体)保护环境下，通过加热熔化成液态，然后再结晶，形成具有一定外形尺寸的单晶硅材料。其中，其中晶体生长的等径过程是最关键的过程，需要控制晶体的直径保持在恒定区间范围内的同时，需要限制晶体的提拉速度也在指定的范围内，以控制晶体内部不产生空穴相关(cop)或位错族相关(a-defect)的缺陷。
2、在等径控制技术中，首先需要获得晶体当前直径信号，然后通过与直径设定值的比较来调节熔体温度或晶体提拉速度，从而控制晶体的直径。
3、相关技术中，比较通用的获得直径信号的方法有称重法、成像法和人工法等。称重法是指通过晶棒称重系统来计算出晶棒的称重直径，进而将称重直径输入到晶棒生长控制系统中来调节熔体温度，从而对晶棒的生长直径进行控制。
4、但是，通常难以确定晶棒称重系统是否正常工作，在晶棒称重系统非正常工作时用晶棒的称重直径对晶棒的生长直径进行控制会导致较大的直径偏差。
5、鉴于上述技术问题的存在，本申请提供一种新的晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，以至少部分地解决上述问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题中的至少一个而提出了本申请。根据本申请一方面，提供了一种晶棒生长控制方法，所述晶棒生长
2、在本申请的一个实施例中，所述获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径，包括：在所述晶棒生长过程中，获取所述晶棒在指定等径长度时的质量；其中，所述指定等径长度包括第一指定等径长度和第二指定等径长度，所述质量包括与所述第一指定等径长度相对应的第一质量和与所述第二指定等径长度相对应的第二质量；根据所述第一指定等径长度和所述第二指定等径长度计算等径长度差值，以及根据所述第一质量和所述第二质量计算质量差值；根据所述等径长度差值和所述质量差值计算所述称重直径。
3、在本申请的一个实施例中，所述获取所述晶棒在指定等径长度时的质量，包括：在预设时间范围内，获取所述晶棒在指定等径长度时的多个实际质量，并将多个所述实际质量的平均值作为所述质量。
4、在本申请的一个实施例中，所述预设差值范围为-2mm～2mm。
5、在本申请的一个实施例中，所述对所述称重直径和所述相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径，包括：确定所述晶棒的目标直径；根据所述称重直径和所述目标直径计算直径偏差百分比；根据所述相机测量直径和所述直径偏差百分比计算所述模拟直径。
6、在本申请的一个实施例中，所述相机测量直径根据ccd相机或者红外相机测量得到。
7、根据本申请再一方面，提供了一种晶体生长控制装置，所述装置包括处理器和存储器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器运行时，使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。
8、根据本申请再一方面，提供了一种晶体生长系统，包括晶体生长炉和所述的晶体生长控制装置。
9、根据本申请再一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序在由处理器运行时使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。
10、根据本申请再一方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品在由处理器运行时，使得所述处理器执行上述中的任一项所述的晶棒直径控制方法。
11、根据本申请实施例的晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品，通过判断称重直径和人工测量直径之间的差值是否处于预设差值范围内，从而可以确定晶棒称重系统是否正常工作；在晶棒称重系统非正常工作时，采取相机测量直径作为直径信号对晶棒的生长过程进行控制，在晶棒称重系统正常工作时，对称重直径和相机测量直径进行数据处理得到模拟直径，采取模拟直径作为直径信号对晶棒的生长过程进行控制；其中，后者通过称重直径对相机测量直径进行修正，减小了相机测量直径的误差，使得即使每一根晶棒所处的热场环境不一致，但是最终得到的每一根晶棒的直径基本一致，减少了不同晶棒的直径偏差，增强了拉晶等径阶段晶棒直径的控制精度。
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1.一种晶棒生长控制方法，其特征在于，所述晶棒生长控制方法包括：
2.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径，包括：
3.如权利要求2所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述获取所述晶棒在指定等径长度时的质量，包括：
4.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述预设差值范围为-2mm～2mm。
5.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述对所述称重直径和所述相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径，包括：
6.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述相机测量直径根据CCD相机或者红外相机测量得到。
7.一种晶体生长控制装置，其特征在于，所述装置包括处理器和存储器，所述存储器上存储有由所述处理器运行的计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器运行时，使得所述处理器执行如权利要求1-6中的任一项所述的晶棒直径控制方法。
8.一种晶体生长系统，其特征在于，包括晶体生长炉和如权利要求7所述的晶体生长控制装置。
9.一
10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品在由处理器运行时，使得所述处理器执行如权利要求1-6中的任一项所述的晶棒直径控制方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶棒生长控制方法，其特征在于，所述晶棒生长控制方法包括：
2.如权利要求1所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径，包括：
3.如权利要求2所述的晶棒生长控制方法，其特征在于，所述获取所述晶棒在指定等径长度时的质量，包括：
4.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述预设差值范围为-2mm～2mm。
5.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述对所述称重直径和所述相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径，包括：
6.如权利要求1所述的晶棒直径控制方法，其特征在于，所述相机测量直径根据ccd相机或者红外相机测量得到。
7.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯睿超，赵言，金光勲，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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