【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体加工的，具体涉及一种拉晶炉装置及拉晶方法。
技术介绍
1、目前，随着大尺寸单晶硅的发展，磁场在单晶硅生长过程中起到了重要的作用，通过对硅熔体施加磁场，能够实现增大粘滞度的目的，会抑制自然对流，使得晶体生长速率起伏降低，改善晶体的均匀性。
2、在相关技术中，单晶生长过程时，多会保持磁场在某个位置固定不动，把磁场加载到设定值，等结束后再关闭磁场。然而，无论是何种类型的水平磁场，在使用过程中都不能保证磁场整体是呈中心对称的，固定磁场情况下，溶体内部流动不呈中心分布，但是由于磁场分布限制，无法完全消除内部流动不对称性，会导致晶体品质下降。
技术实现思路
1、为了解决上述问题而提出了本申请，根据本申请的一方面，提供了一种拉晶炉装置，包括：炉体，所述炉体中设置有容纳硅熔体的坩埚；磁场部件，所述磁场部件设于所述炉体外部，用于生成穿过所述坩埚及所述硅熔体的水平磁场；驱动件，所述驱动件设于所述炉体外部，所述驱动件用于驱动所述所述磁场部件旋转，使所述水平磁场以所述炉体的竖向轴线为中心
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种拉晶炉装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拉晶炉装置，其特征在于，还包括磁场底座，所述磁场底座设于所述炉体外部，所述磁场部件设于所述磁场底座上，所述驱动件连接所述磁场底座，以驱动所述磁场底座和所述磁场部件进行旋转。
3.根据权利要求2所述的拉晶炉装置，其特征在于，所述驱动件包括驱动电机，所述拉晶炉装置还包括控制模组，所述控制模组电连接所述驱动电机，用于发送控制信号到所述驱动电机以控制所述磁场部件的旋转速度。
4.根据权利要求1所述的拉晶炉装置，其特征在于，所述坩埚可转动地设于所述炉体内，所述坩埚的竖直中心线和所...
【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拉晶炉装置，其特征在于，还包括磁场底座，所述磁场底座设于所述炉体外部，所述磁场部件设于所述磁场底座上，所述驱动件连接所述磁场底座，以驱动所述磁场底座和所述磁场部件进行旋转。
3.根据权利要求2所述的拉晶炉装置，其特征在于，所述驱动件包括驱动电机，所述拉晶炉装置还包括控制模组，所述控制模组电连接所述驱动电机，用于发送控制信号到所述驱动电机以控制所述磁场部件的旋转速度。
4.根据权利要求1所述的拉晶炉装置，其特征在于，所述坩埚可转动地设于所述炉体内，所述坩埚的竖直中心线和所述磁场部件的转动中心线重合，且所述坩埚和所述磁场部件的转动方向相反。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵言，陈水斌，金光勋，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。