一种功率芯片烧结模块制作方法及功率芯片烧结模块、载板冶具技术

本申请涉及功率芯片技术领域，公开了一种功率芯片烧结模块制作方法及功率芯片烧结模块、载板冶具，其方法包括挑起载板冶具上的限位线，将散热铜基块塞入至安装槽内并松开限位线；对散热铜基块进行OSP处理；挑起限位线，将散热铜基块从安装槽内移出；在散热铜基块的顶面的凹槽底部印刷第一银膏；烘烤形成第一银膏层；把功率芯片贴装至第一银膏层的表面；将功率芯片粘接至第一银膏层上；在功率芯片的栅极和源极上分别印刷第二银膏；烘烤形成第二银膏层；在各第二银膏层上贴装覆盖铜片；将铜片粘接至第二银膏层上。本申请具有降低散热铜基块的表面预处理难度，改善功率芯片烧结模块可靠性的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及功率芯片，尤其是涉及一种功率芯片烧结模块制作方法及功率芯片烧结模块、载板冶具。

技术介绍

1、目前，应用于如新能源汽车等的主驱逆变器基板（又称功率芯片），采用将功率芯片嵌埋到基板内部的散热铜基顶面的凹槽内的烧结方式，先将功率芯片通过银烧结工艺焊接到散热铜基的凹槽底部，制作成为功率芯片烧结模块，再将功率芯片烧结模块作为一个整体包封到基板内部。其中，烧结银层实现了功率芯片的漏极和散热铜基电性连接，确保功率芯片可以正常工作，散热铜基因其金属铜良好的导热性，在功率芯片工作时，能够将热量加速传递，起到快速散热的作用，达到防止封装体内部的功率芯片的热量大量积聚，功率芯片烧结模块结温过高，影响功率芯片烧结模块乃至基板整体可靠性的目的。但是，裸铜在空气中非常容易氧化，导致散热铜基表面的可焊性急剧下降，进而导致烧结过程中的纳米银膏与氧化铜表面的结合力极差，高温下容易发生结合界面开裂造成基板失效的情况。

2、现有技术中，业界普遍采用低成本的水平生产线表面处理设备，单个散热铜基若过水平线做表面处理的话，行进过程中会掉落到药水缸中，导致散热铜基在银烧结前进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，印刷第二银膏时，采用以下步骤，

3.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，烘烤第二银膏时，采用以下步骤，

4.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，所述铜片覆盖于所述第二银膏层的表面后，高温烧结时，采用以下步骤，

5.一种功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤，

6.根据权利要求5所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，贴装银膜时，采用以下步骤，...

【技术特征摘要】

1.一种功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，印刷第二银膏时，采用以下步骤，

3.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，烘烤第二银膏时，采用以下步骤，

4.根据权利要求1所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，所述铜片覆盖于所述第二银膏层的表面后，高温烧结时，采用以下步骤，

5.一种功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤，

6.根据权利要求5所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，贴装银膜时，采用以下步骤，

7.根据权利要求5所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，所述铜片覆盖于所述银膜的表面后，高温烧结时，采用以下步骤，

8.根据权利要求1或5所述的功率芯片烧结模块制作方法，其特征在于，贴装铜片时，采用以下步骤，

9.一种载板冶具，其特征在于，应用于权利要求1至8任一项所述的功率芯片烧结模块制作方法，包括介质层，所述介质层由若干半固化片叠合后高温压合形成，其中，高温压合时的温度范围为175℃-350℃；

10.根据权利要求9所述的载板冶具，其特征在于，所述第二通孔的数量为4个且沿所述安装槽的对角线方向上均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冬弟，毛德祥，
申请(专利权)人：广州美维电子有限公司，
类型：发明
国别省市：