【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件中，以nmos器件为例，衬底具有本身自带的p型轻掺杂，衬底上形成有栅极层，栅极层两侧的衬底中形成有n型的源/漏极区，相邻的器件结构之间主要依靠浅沟槽隔离结构进行隔离；同时，浅沟槽隔离结构两侧的源/漏极区与衬底构成的npn结构也能起到一定的隔离作用。
2、但是，在通过干法刻蚀工艺刻蚀衬底形成浅沟槽隔离结构对应的沟槽时，会损伤相邻沟槽之间的衬底表面，导致在衬底表面形成缺陷，进而导致电子穿过浅沟槽隔离结构的几率增大，即形成了漏电通道，降低了浅沟槽隔离结构的隔离效果；同时，源/漏极区和栅极层会通过金属互连结构引出，以通过金属互连结构对器件结构施加电压，当相邻两个器件结构之间存在电势差时，位于浅沟槽隔离结构上方的金属互连结构会在浅沟槽隔离结构内壁的衬底中感应出弱电子通道，从而减弱了隔离效果。因此，上述因素导致相邻器件结构之间的漏电风险增大。
3、因此，如何降低相邻器件结构之间的漏电风险是目前亟需解决的问题。
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【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底与所述多晶硅结构之间具有电势差，使得所述沟槽内壁的衬底中形成强多子层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述强多子层所在区域的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述强多子层中的多子浓度大于所述衬底中的多子浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件结构为本征器件。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述器件结构包括：
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底与所述多晶硅结构之间具有电势差，使得所述沟槽内壁的衬底中形成强多子层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述强多子层所在区域的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述强多子层中的多子浓度大于所述衬底中的多子浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件结构为本征器件。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述器件结构包括：
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区的掺杂类型均与所述强多子层所在区域的掺杂类型相反，使得所述沟槽两侧的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区与所述强多子层构成npn隔离结构或pnp隔离结构。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区的掺杂类型为n型，所述强多子层所在区域的掺杂类型为p型时，施加在所述衬底的电势大于施加在所述多晶硅结构的电势。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅结构连接负电势，所述衬底接地；或者，所述多晶硅结构接地，所述衬底连接正电势。
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：庞浩，潘冬，王琼，江德斐，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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