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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽，所述沟槽两侧形成有器件结构；绝缘介质层，形成于所述沟槽的内壁上；多晶硅结构，填充于所述沟槽中；金属互连结构，所述多晶硅结构通过所述金属互连结构电引出。本...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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