【技术实现步骤摘要】
本技术属于pvt法碳化硅单晶生长，特别涉及一种pvt法碳化硅单晶生长装置。
技术介绍
1、pvt法(pressure vapor transport)是一种常用的碳化硅(sic)单晶生长方法。但是现如今通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后，存在产生的固体废弃物不便收集的缺点。
2、通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后产生的固体废弃物通常是大块体或薄片状，这是因为固体废弃物是由原始的碳化硅晶体碎片组成。这种状态下产生的固体废弃物不仅形状奇异，而且密度较高，通常较困难收集。
3、大块体固体废弃物和薄片状废弃物都有各自的挑战：大块体的固体废弃物通常难以处理和收集，需要专用设备进行粉碎或采用其他处理技术；薄片状废弃物可以较容易地手动分离出来，但制造过程中产生的杂质可能会使其回收利用难度增加。
4、总的来说，通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后固体废弃物通常是大块体或薄片状具有不方便收集的缺点，为了改进这个问题，需要研发一种pvt法碳化硅单晶生长装置。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体(100)以及废物处理箱(200)，所述PVT炉体(100)左侧下方安装有废物处理箱(200)，其特征在于：所述废物处理箱(200)上方设有废物入口(400)；
2.如权利要求1所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述收集转运箱(120)左侧面中间安装有把手(130)，两个所述驱动电机(700)分别通过传动轴与两个转轴(800)左端连接。
3.如权利要求2所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部右侧上方安装有两个转动...
【技术特征摘要】
1.一种pvt法碳化硅单晶生长装置，包括用于pvt法碳化硅单晶生长的pvt炉体(100)以及废物处理箱(200)，所述pvt炉体(100)左侧下方安装有废物处理箱(200)，其特征在于：所述废物处理箱(200)上方设有废物入口(400)；
2.如权利要求1所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述收集转运箱(120)左侧面中间安装有把手(130)，两个所述驱动电机(700)分别通过传动轴与两个转轴(800)左端连接。
3.如权利要求2所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部右侧上方安装有两个转动轴承(900)，两个所述转轴(800)右端分别与两个转动轴承(900)内侧连接。
4.如权利要求3所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述驱动电机(700)呈相反方向转...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱艳丽，李天运，
申请(专利权)人：合肥世纪金芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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