一种PVT法碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸

本技术提供一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体以及废物处理箱，PVT炉体左侧下方安装有废物处理箱，废物处理箱上方设有废物入口，废物处理箱内部上方设置有两个转轴，与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：通过设置驱动电机、转轴、转动辊以及粉碎齿，能够便于对大块的固体废弃物进行粉碎，粉碎后的固体废弃物能够便于收集，粉碎后的固体废弃物更容易进行后续处理，例如进行再利用，破碎后的废弃物通常更容易分离和处理其中有价值的成分，从而减少资源浪费，通过设置收集转运箱、转运轮、对接槽、固定铁片以及磁吸片，能够便于收集粉碎后的固体废弃物，且在收集后能够便于将其转运。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于pvt法碳化硅单晶生长，特别涉及一种pvt法碳化硅单晶生长装置。

技术介绍

1、pvt法(pressure vapor transport)是一种常用的碳化硅(sic)单晶生长方法。但是现如今通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后，存在产生的固体废弃物不便收集的缺点。

2、通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后产生的固体废弃物通常是大块体或薄片状，这是因为固体废弃物是由原始的碳化硅晶体碎片组成。这种状态下产生的固体废弃物不仅形状奇异，而且密度较高，通常较困难收集。

3、大块体固体废弃物和薄片状废弃物都有各自的挑战：大块体的固体废弃物通常难以处理和收集，需要专用设备进行粉碎或采用其他处理技术；薄片状废弃物可以较容易地手动分离出来，但制造过程中产生的杂质可能会使其回收利用难度增加。

4、总的来说，通过pvt炉进行pvt法碳化硅单晶生长后固体废弃物通常是大块体或薄片状具有不方便收集的缺点，为了改进这个问题，需要研发一种pvt法碳化硅单晶生长装置。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种pvt法碳化硅单晶生长装置，解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、本技术通过以下的技术方案实现：一种pvt法碳化硅单晶生长装置，包括用于pvt法碳化硅单晶生长的pvt炉体以及废物处理箱，所述pvt炉体左侧下方安装有废物处理箱，所述废物处理箱上方设有废物入口；

3、所述废物处理箱内部上方设置有两个转轴，两个所述转轴外侧安装有转动辊，每个所述转动辊外侧均安装有多组粉碎齿，所述废物处理箱左侧面上方安装有两个驱动电机；

4、所述废物处理箱内部下方设置有收集转运箱，所述废物处理箱左侧面下方开设有出入口，所述废物处理箱右侧面安装有两个磁吸片，所述废物处理箱内部右侧下方开设有两个对接槽，两个所述对接槽内部右侧分别安装有一个磁吸片，所述收集转运箱下方安装有四个转运轮。

5、作为一优选的实施方式，所述收集转运箱左侧面中间安装有把手，两个所述驱动电机分别通过传动轴与两个转轴左端连接，两个驱动电机能够分别通过传动轴带动两个转轴呈相反方向转动，同时两个转轴能够分别带动两个转动辊转动，继而带动其外侧的多组粉碎齿转动，在固体废弃物经过两个转动辊时，转动过程中的粉碎齿能够将固体废弃物进行粉碎。

6、作为一优选的实施方式，所述废物处理箱内部右侧上方安装有两个转动轴承，两个所述转轴右端分别与两个转动轴承内侧连接，在转轴转动的同时带动两个转动轴承内侧转动。

7、作为一优选的实施方式，两个所述驱动电机呈相反方向转动，两个转动辊处的多组粉碎齿相互啮合。

8、作为一优选的实施方式，所述废物处理箱正面中间安装有观察窗，所述观察窗为一种透明钢化玻璃，在收集过程中可通过观察窗观察收集程度。

9、作为一优选的实施方式，所述废物处理箱内部左右两侧中间分别安装有一个滑料板，两个所述滑料板正视面均为一种直角三角形状，且呈镜像安装。

10、作为一优选的实施方式，两个所述磁吸片的材质均为一种铁氧体磁铁，两个所述磁吸片分别嵌入两个对接槽内磁力吸附两个固定铁片，所述pvt炉体主要由石墨舟、气氛控制组件、加热组件、高真空系统、温度监测器和真空度检测器构成，pvt炉体能够在高温高真空环境中对源材料和碳源材料进行控制反应，生成碳化硅单晶，其中，气氛控制组件控制环境气氛，加热组件提供高温，高真空系统保持高真空度，温度监测器和真空度检测器用于监测和控制重要参数，pvt炉体为一种现有公开技术，在此不再赘述。

11、采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：通过设置驱动电机、转轴、转动辊以及粉碎齿，能够便于对大块的固体废弃物进行粉碎，粉碎后的固体废弃物能够便于收集，粉碎后的固体废弃物更容易进行后续处理，例如进行再利用，破碎后的废弃物通常更容易分离和处理其中有价值的成分，从而减少资源浪费，通过设置收集转运箱、转运轮、对接槽、固定铁片以及磁吸片，能够便于收集粉碎后的固体废弃物，且在收集后能够便于将其转运，且对接槽、固定铁片以及磁吸片的设置能够使转运箱便于安装在废物处理箱内，使其在收集废弃物的过程中不易移动。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体(100)以及废物处理箱(200)，所述PVT炉体(100)左侧下方安装有废物处理箱(200)，其特征在于：所述废物处理箱(200)上方设有废物入口(400)；

2.如权利要求1所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述收集转运箱(120)左侧面中间安装有把手(130)，两个所述驱动电机(700)分别通过传动轴与两个转轴(800)左端连接。

3.如权利要求2所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部右侧上方安装有两个转动轴承(900)，两个所述转轴(800)右端分别与两个转动轴承(900)内侧连接。

4.如权利要求3所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述驱动电机(700)呈相反方向转动，两个转动辊(500)处的多组粉碎齿(600)相互啮合。

5.如权利要求4所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)正面中间安装有观察窗(300)，所述观察窗(300)为一种透明钢化玻璃。

6.如权利要求5所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部左右两侧中间分别安装有一个滑料板(110)，两个所述滑料板(110)正视面均为一种直角三角形状，且呈镜像安装。

7.如权利要求1所述的一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述磁吸片(170)的材质均为一种铁氧体磁铁，两个所述磁吸片(170)分别嵌入两个对接槽(150)内磁力吸附两个固定铁片(160)，所述PVT炉体(100)主要由石墨舟、气氛控制组件、加热组件、高真空系统、温度监测器和真空度检测器构成。

...

【技术特征摘要】

1.一种pvt法碳化硅单晶生长装置，包括用于pvt法碳化硅单晶生长的pvt炉体(100)以及废物处理箱(200)，所述pvt炉体(100)左侧下方安装有废物处理箱(200)，其特征在于：所述废物处理箱(200)上方设有废物入口(400)；

2.如权利要求1所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述收集转运箱(120)左侧面中间安装有把手(130)，两个所述驱动电机(700)分别通过传动轴与两个转轴(800)左端连接。

3.如权利要求2所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述废物处理箱(200)内部右侧上方安装有两个转动轴承(900)，两个所述转轴(800)右端分别与两个转动轴承(900)内侧连接。

4.如权利要求3所述的一种pvt法碳化硅单晶生长装置，其特征在于：两个所述驱动电机(700)呈相反方向转...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱艳丽，李天运，
申请(专利权)人：合肥世纪金芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：