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本技术提供一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体以及废物处理箱，PVT炉体左侧下方安装有废物处理箱，废物处理箱上方设有废物入口，废物处理箱内部上方设置有两个转轴，与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：...
该专利属于合肥世纪金芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥世纪金芯半导体有限公司授权不得商用。

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