【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、soi（绝缘体上硅）工艺是一种平面工艺技术，依赖于两项主要技术创新: 首先，在衬底上面制作一个绝缘层，又称埋氧层；其次用一个硅膜制作晶体管沟道，因为沟道非常薄，无需对通道进行掺杂工序。从结构上看，soi晶体管的静电特性优于传统体硅技术，包括：soi晶体管的埋氧层可以降低源极和漏极之间的寄生电容，还能有效地抑制电子从源极流向漏极，从而大幅降低导致性能下降的漏电流；此外，soi晶体管还具有许多其他方面的独特优点，包括具有背面偏置能力、极好的晶体管匹配特性、可使用接近阈值的低电源电压、对辐射具有超低的敏感性以及具有非常高的晶体管本征工作速度等。
2、 soi工艺优势在于栅极对沟道的更好控制，从而减少短沟道效应，最终无需掺杂来弥补vth值（阈值电压）的下降，或者至少可以将掺杂浓度降至较低水平，这可以提高载流子的迁移率，因为载流子和杂质之间的散射（由于掺杂）被阻止了，它还能减少随着杂质数量的增加而出现的随机掺杂波动引起的vth 波动。
3、但是，随着...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述SOI衬底还包括位于所述半导体层上的牺牲氧化层，所述形成栅极于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上的步骤之前，所述制备方法还包括：去除所述牺牲氧化层，露出所述半导体层的上表面。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述去除至少第一方向上部分SOI衬底的步骤包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成栅极于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上的步骤之前，所述制备方法还包括...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述soi衬底还包括位于所述半导体层上的牺牲氧化层，所述形成栅极于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上的步骤之前，所述制备方法还包括：去除所述牺牲氧化层，露出所述半导体层的上表面。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述去除至少第一方向上部分soi衬底的步骤包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成栅极于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上的步骤之前，所述制备方法还包括：形成栅极氧化层于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述soi衬底还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包围的区域为所述有源区，所述栅极还沿着所述第一方向延伸至所述浅沟槽隔离结构上。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成栅极于所述半导体层的上表面以及露出的侧面上的步骤之后，所述制备方法还包括：形成源极和漏极于所述栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：田国军，张伟光，高志强，王同信，郑重，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。