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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，通过去除至少第一方向上部分SOI衬底，露出半导体层的两个第二方向的侧面，并形成栅极于半导体层的上表面以及侧面上，可以增加栅极对沟道的控制面积，进而可以增大栅极对沟道的控制能力，减少漏电流，提升器件性能...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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