半导体器件制造方法及半导体器件技术

技术编号:42689277 阅读:20 留言:0更新日期:2024-09-10 12:38
本申请提供了一种半导体器件制造方法及半导体器件,其中,该方法包括:将晶圆基座上的目标区域进行减薄,在目标区域上布设粘贴材料,将待制程晶圆附着至粘贴材料上,并对待制程晶圆进行制程,得到待用晶圆。本申请通过在目标区域布设粘贴材料,从而避免出现晶圆卷翘、晶圆形状及厚度发生变化等现象,以及破片等问题,并利用晶圆基座作为基础,对待制程晶圆进行制程,从而达到不需要引用适应待制程晶圆尺寸的晶圆线设备,也可以实现晶圆制造的效果,进而解决半导体器件制程与晶圆制造设备之间无法兼容的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造,具体而言,涉及一种半导体器件制造方法及半导体器件


技术介绍

1、在晶圆的制造生产过程中,需要将待制程的晶圆送入晶圆制程工厂,利用工厂中晶圆制造设备进行制程。但是,晶圆制造设备的硬件设备与晶圆尺寸相关性极高,6寸晶圆线设备大多数只兼容6寸晶圆的制造,8寸晶圆线设备大多数只兼容8寸晶圆的制造。

2、现有技术中,并没有将晶圆线设备与不同尺寸的待制程的晶圆相兼容的相关方法,因此无法充分利用晶圆制造设备实现通用晶圆制造。


技术实现思路

1、本申请的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种半导体器件制造方法及半导体器件,以解决现有技术中晶圆尺寸和晶圆线设备不兼容的问题。

2、为实现上述目的,本申请采用的技术方案如下:

3、第一方面,本申请提供了一种半导体器件制造方法,包括:

4、将晶圆基座上的目标区域进行减薄;

5、在所述目标区域上布设粘贴材料;

6、将待制程晶圆附着至所述粘贴材料上,并对所述待制程晶圆进行制程,得到待用晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述目标区域的直径大于所述待制程晶圆的直径。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述对所述待制程晶圆进行制程之后,还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述目标区域的直径与所述待制程晶圆的直径相同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述对所述待制程晶圆进行制程之后,还包括:

6.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述将待制程晶圆附着至所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述目标区域的直径大于所述待制程晶圆的直径。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述对所述待制程晶圆进行制程之后,还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述目标区域的直径与所述待制程晶圆的直径相同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述对所述待制程晶圆进行制程之后,还包括:

6.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:周科胡强黄庆波封明辉丁要琼孟繁新岳兰
申请(专利权)人:成都高投芯未半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1