本发明专利技术提供了一种高速光电二极管，涉及高速光探测器件技术领域。所述高速光电二极管包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的重掺杂区，形成在基底上；锗结构，形成在重掺杂区的表面上；第二导电类型的重掺杂区，形成在所述锗结构的顶部上；第一钝化层，形成在所述基底上并且覆盖所述锗结构和重掺杂区；第一电性电极部和第二电性电极部，分别形成在所述第一钝化层上，并且第一电性电极部穿过所述钝化层与所述第一导电类型的重掺杂区连接，第二电性电极部穿过所述钝化层与所述第二导电类型的重掺杂区连接；通孔，所述通孔形成在基底的背面并分别延伸至第一电性电极部和第二电性电极部；导电层，所述导电层设置在通孔中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高速光探测器件的，具体涉及一种高速光电二极管。
技术介绍
1、高速光电二极管是能够在高频率下转换光信号为电信号的器件。它具有快速响应时间、高灵敏度和宽波长范围等特点，被广泛应用于通信、雷达、光纤通信等领域。随着5g发展、算力网络等技术发展，对高速光电二极管的带宽和信号幅值的一致性要求越来越高。
2、目前高速光电二极管为提高信号带宽，会主动引入电感，但是这样会导致带宽范围内信号的幅值变化较大，甚至在带宽内最大值和最小值差值可以达到6db，这样会严重影响信号幅值的一致性。
3、鉴于上述，确有必要提供一种有效改善高速光电二极管的寄生电感，同时方便芯片的测试和生产的新型高速光电二极管。
技术实现思路
1、为了解决上述现有的技术问题的或其的一部分，本专利技术的目的在于提供一种新型高速光电二极管，其具有下面详细介绍的结构。
2、根据本专利技术的第一个方面，提供一种高速光电二极管，所述高速光电二极管包括：
3、第一导电类型的基底；
>4、第一导电类型的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高速光电二极管，其特征在于，所述高速光电二极管包括：
2.根据权利要求1所述的高速光电二极管，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的高速光电二极管，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的高速光电二极管，其特征在于，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的高速光电二极管，其特征在于，
6.根据权利要求1-4中任一项所述的高速光电二极管，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的高速光电二极管，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的高速光电二极管，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的高速光电二...
【技术特征摘要】
1.一种高速光电二极管，其特征在于，所述高速光电二极管包括：
2.根据权利要求1所述的高速光电二极管，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的高速光电二极管，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的高速光电二极管，其特征在于，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的高速光电二极管，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海帆，祁帆，石彬，曲婧毓，
申请(专利权)人：NANO科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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