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本发明提供了一种高速光电二极管，涉及高速光探测器件技术领域。所述高速光电二极管包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的重掺杂区，形成在基底上；锗结构，形成在重掺杂区的表面上；第二导电类型的重掺杂区，形成在所述锗结构的顶部上；第一钝化层，形成...
该专利属于NANO科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NANO科技（北京）有限公司授权不得商用。

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