【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件制造,具体为一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构。
技术介绍
1、晶闸管芯片的基本结构是pnpn四层三端器件,三端分别是阴极k、阳极a和门极g(也叫控制极g),通常情况门极g在阴极k面上,分中央门极(门极在圆形阴极正中央)和边缘门极(门极在圆形阴极的边上)。
2、为了后道封装的方便,芯片经常会通过烧结加上阴极和阳极的电极金属片,阳极金属片是比硅片稍大的圆形钼片,阴极金属片是钼片或者可伐片,依据门极位置不同选用不同阴极金属片形状,中央门极选用环形金属片,边缘门极采用月牙形或者是带有门极圆孔的偏心环片。
3、阳极金属片、芯片和阴极金属片之间采用铅锡合金焊片进行烧结使之成为一体。有些器件与模块的封装为了有更大的焊接和导电面积,必需要采用边缘门极,留出中间区域用于导电引线的焊接。
4、在烧结装模过程中,常规采用烧结模具的台阶定位,但是当采用边缘门极时,由于硅片是圆形,方向不好定位,阴极金属片是月牙形或者偏心环片的,装模时很难定位,很容易引起阴极金属片上的缺口或者门极孔与边缘门极对不准的情况发
...【技术保护点】
1.一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构,包括芯片(1),所述芯片(1)包括硅片(13),所述硅片(13)一面连接阴极金属片(15)和门极(16),所述硅片(13)另一面连接阳极金属片(11),所述硅片(13)上设置有阴极区(131),所述阴极区(131)偏心位置设置有门极区(132),所述阴极金属片(15)在边缘位置设置有月牙槽(151),所述门极(16)位于月牙槽(151)内,其特征在于,所述硅片(13)上设置有硅片切边(130),所述阴极金属片(15)上设置有金属片切边(150),所述芯片(1)通过装载在烧结模具(2)内进行烧结,所述烧结模具(2)内设置有对应硅片
...【技术特征摘要】
1.一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构,包括芯片(1),所述芯片(1)包括硅片(13),所述硅片(13)一面连接阴极金属片(15)和门极(16),所述硅片(13)另一面连接阳极金属片(11),所述硅片(13)上设置有阴极区(131),所述阴极区(131)偏心位置设置有门极区(132),所述阴极金属片(15)在边缘位置设置有月牙槽(151),所述门极(16)位于月牙槽(151)内,其特征在于,所述硅片(13)上设置有硅片切边(130),所述阴极金属片(15)上设置有金属片切边(150),所述芯片(1)通过装载在烧结模具(2)内进行烧结,所述烧结模具(2)内设置有对应硅片切边(130)和金属片切边(150)的切边进行定位,所述硅片(13)和阴极金属片(15)通过切边定位使月牙槽(151)对准门极区(132)的位置,实现将门极(16)准确连接在门极区(132)上。
2.根据权利要求1所述的一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构,其特征在于,所述月牙槽(151)为月牙形槽口,所述槽口边缘位置平齐,所述月牙槽(151)能代替金属片切边(150)作为定位边。
3.根据权利要求1所述的一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构,其特征在于,所述阴极区(131)位于硅片(13)的阴极面,所述硅片(13)上方在阴极区(131)和门极区(132)以外的部分为环形的台面区,所述门极区(132)外圈部分为门极环,所述门极环和台面区表面设置绝缘保护膜,所述阴极区(131)和门极区(132)表面镀有镍,所述门极区(132)内圈部分连接门极(16),所述绝缘保护膜包含半绝缘多晶硅和玻璃钝化层。
4.根据权利要求1所述的一种圆形焊接型晶闸管芯片的定位结构,其特征在于,所述阴极金属片(15)与硅片(13)之间、所述硅片(13)与阳极金属片(11)之间都设置有焊锡片(10),所述焊锡片(10)在烧结时用于融化后连接固定上...
【专利技术属性】
技术研发人员:张宏超,徐伟,李有康,
申请(专利权)人:浙江正邦电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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