一种圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺经过以下的步骤形成：S1：在扩散形成PNPN四层结构前先用激光开槽结合闭管镓铝扩散形成单个芯片的圆形隔离墙；S2：再将各单元的芯片按要求扩散形成PNPN四层三端结构；S3：用光刻掩膜结合化学腐蚀方法进行挖槽进行台面造型，形成两个不同角度的台面；S4：用刮刀玻璃钝化方法在台面形成两层玻璃层进行保护；S5：用激光切割法将芯片进行分离，制成单个晶闸管芯片。大圆片生产，一次可以处理较多数量的芯片，效率高，芯片一致性较好且应用玻璃钝化确保芯片性能稳定，不容易受环境因素影响芯片性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，具体为一种圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺。

技术介绍

1、台面造型与处理保护是电力电子器件的一道重要加工工艺，是保证器件有效稳定工作的关键工艺流程，台面造型与处理就是芯片pn结的终端处理。其目的是将通过在pn结的终端通过某种手段形成一定的斜角，并进行绝缘保护，用于降低表面电场，防止高压打火，形成良好的芯片耐压。晶闸管芯片的基本结构是pnpn四层三端器件，通过扩散工艺掺杂形成p1n1p2n2四层结构，之间形成三个pn结，其中p1与n1形成j1结，n1p2形成j2结，这两个结在工作中随很高的工作电压，高达数千伏。

2、现有的圆形晶闸管芯片台面造型是用机械研磨或者喷砂工艺，以及两种方法结合将芯片台面磨出二个不同角度的斜角，用以扩展空间电荷区宽度达到降低电场强度的目的，再在表面涂敷硅橡胶，或者聚酰亚胺等有机保护材料进行保护。这种方法有设备简单，工艺简略的优点，但是存在效率较低，保护不稳定，容易受环境因素影响器件的电参数，甚至无法正常工作等问题。

3、为了解决生产中研磨效率低、涂胶保护不稳定的问题。鉴于此，我们本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，包括半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片包括：所述半导体芯片为三端PNPN四层结构，三个端子分别为阳极(A)、阴极(K)和门极(G)，所述的PNPN四层结构，分别为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区；

2.根据权利要求1所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述S1中还包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述P2短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和P2短基区同质，隔离墙和P2短基区同步形成...

【技术特征摘要】

1.一种圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，包括半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片包括：所述半导体芯片为三端pnpn四层结构，三个端子分别为阳极(a)、阴极(k)和门极(g)，所述的pnpn四层结构，分别为p1阳极区、n1长基区、p2短基区和n+阴极区；

2.根据权利要求1所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述s1中还包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述p2短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和p2短基区同质，隔离墙和p2短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同。

4.根据权利要求1所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述s2中包括：半导体芯片p1阳极区表面增设有阳极区p+层，阴极面中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有阴极区p+层；所述的阴极区p+层采用阳极面高浓度硼吸收扩散，同时该高浓度硼选择性反扩散至阴极面短路区域。

5.根据权利要求4所述的圆形晶闸管芯片台面造型与保护工艺，其特征在于：所述阳极区p+层、阴极区p+层表面杂质浓度为0.2～9.0×1020/cm3，p1阳极区、p2短基区表面杂质浓度为0.2～9.0×1017/cm3，n+阴极区表面杂质浓度为0.2～9×1020/cm3；阳极区p+层结深为10～30μm，阴极区p+层的结深为5～30μm，p1阳极区结深为30～140μm，p2短基区结深为80～140μm，n+阴极区的结深为15～...

【专利技术属性】
技术研发人员：项卫光，徐伟，李有康，刘积青，张宏超，李晓明，
申请(专利权)人：浙江正邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：