一种利用分子束外延技术制备LaSi2(00l)单晶薄膜的方法技术

本发明专利技术提供一种利用分子束外延技术制备LaSi<subgt;2</subgt;(00l)单晶薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域，该方法原理是将金属镧(La)蒸发源加热到一定温度后，La分子束流喷射沉积在加热至一定温度的Si(100)衬底上，La与Si(100)衬底中扩散出来的Si原子发生反应形成LaSi2，实现外延生长。本发明专利技术方法制备的LaSi2(00l)单晶薄膜具有[00l]取向，质量较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备，尤其是涉及一种利用分子束外延技术制备lasi2(00l)单晶薄膜的方法。

技术介绍

1、稀土金属与硅反应可以生成稀土金属硅化物，其中的物性非常丰富，也包含了许多超导材料，而且由于4f电子的存在，它们很可能具有特殊的磁性和重费米子超导特性等。例如cecu2si2是一个典型的重费米子超导体，在基础物理研究中具有重要意义。目前对稀土金属硅化物的研究主要聚焦于块材三元稀土金属硅化物上，对于二元稀土金属硅化物的研究和认识比较少。但lasi2也具有超导电性，且元素组成和原子结构更为简单。制备和研究lasi2薄膜有助于深入了解稀土金属硅化物的物性，并为之后制备和研究三元稀土金属硅化物薄膜打下基础。

2、lasi2属于二元稀土金属硅化物超导体，块材超导转变温度tc为2.3k。lasi2属于四方结构，空间群为i41/amd，晶胞参数稀土金属硅化物在n型硅衬底上具有极低的肖特基势垒，在半导体器件中具有重要应用。lasix/n-si的肖特基势垒高度约为0.25～0.4ev，且lasix在n-si上具有低的接触电阻率，是潜在的半导体应用材料。另本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用分子束外延技术制备LaSi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制备LaSi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Si衬底的晶体取向为[100]。

3.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制备LaSi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤(3)中，第一预设温度为500～600℃。

4.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制备LaSi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中，第二预设温度1600～1700℃。

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【技术特征摘要】

1.一种利用分子束外延技术制备lasi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制备lasi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述si衬底的晶体取向为[100]。

3.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制备lasi2(00l)单晶薄膜的方法，其特征在于，步骤(3)中，第一预设温度为500～600℃。

4.根据权利要求1所述的一种利用分子束外延技术制...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞，吴传易，韩佳，王锦，陈晨，
申请(专利权)人：浙江光电子研究院，
类型：发明
国别省市：