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本发明提供一种利用分子束外延技术制备LaSi<subgt;2</subgt;(00l)单晶薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域，该方法原理是将金属镧(La)蒸发源加热到一定温度后，La分子束流喷射沉积在加热至一定温度的Si(100)...
该专利属于浙江光电子研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江光电子研究院授权不得商用。

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