【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及单晶掺杂，尤其涉及一种单晶炉掺杂装置和单晶炉。
技术介绍
1、目前单晶制备工艺中，可以采用固相掺杂的方式进行掺杂，将未经气化的固体掺杂剂(或含固体掺杂剂的掺杂料，以下均称为固态掺杂剂)与待投入的硅料进行混料，使固态掺杂剂与硅料一并融化反应，实现固相掺杂。为使掺杂浓度达到预期，工作人员需要对固态掺杂剂进行称重，这一过程可能会造成固态掺杂剂挥发到单晶炉外，产生大量的有毒物质，对人体造成危害。此外固态掺杂剂和硅料一并投入会难以保证单晶炉内晶棒电阻均匀性，进而也会影响单晶硅品质。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种单晶炉掺杂装置和单晶炉，用于解决相关技术中掺杂污染性高的问题，且能多次加料，便于提升单晶硅品质。
2、第一方面，本申请提供一种单晶炉掺杂装置，包括：加料室，设有加料口；真空储料室，与所述加料室之间设有隔离阀，用于存储固态掺杂剂；下料斗，位于所述真空储料室的下方，并与所述真空储料室的下端口之间密封连接，所述下料斗的底部设有出料口；下料管道，一端与所述出...
【技术保护点】
1.一种单晶炉掺杂装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述加料室包括加料室门和加料瓶，所述加料瓶的内部设有联接结构；其中，加料瓶的底部为所述加料口，所述加料瓶的顶部设有加料吸盘，用于带动所述联接结构。
3.如权利要求2所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述联接结构包括依次连接的上瓶塞、轴杆和下瓶塞；其中，所述上瓶塞置于所述加料瓶的顶部时，所述下瓶塞的底部与所述隔离阀接触。
4.如权利要求2或3所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述加料室的外部连接真空泵，用于使所述加料室处于真空密封环境。>
5.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉掺杂装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述加料室包括加料室门和加料瓶，所述加料瓶的内部设有联接结构；其中，加料瓶的底部为所述加料口，所述加料瓶的顶部设有加料吸盘，用于带动所述联接结构。
3.如权利要求2所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述联接结构包括依次连接的上瓶塞、轴杆和下瓶塞；其中，所述上瓶塞置于所述加料瓶的顶部时，所述下瓶塞的底部与所述隔离阀接触。
4.如权利要求2或3所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述加料室的外部连接真空泵，用于使所述加料室处于真空密封环境。
5.如权利要求1所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述真空储料室包括密封连接的储料仓和加料斗；其中，所述储料仓和所述加料斗之间设有储料仓阀门，所述加料斗的底部设有入料口，所述入料口位于所述下料斗的上方。
6.如权利要求5所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，所述真空储料室还包括密封设置于所述入料口的加料阀门。
7.如权利要求6所述的单晶炉掺杂装置，其特征在于，还包括第一横梁和第一压力传感器，所述加料斗通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙文明，陈林军，武晓峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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