【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，尤其是涉及一种生长倍半氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。
技术介绍
1、稀土倍半氧化物晶体(lu2o3、sc2o3和y2o3等)具有一系列优点：立方晶系、无双折射；易实现各种稀土掺杂、高分凝系数；高热导率12.5-16.5w/mk；低声子能量430cm-1，低无辐射跃迁、高量子效率；具有强场耦合特性、yb掺杂基态能级分裂大达1112cm-1；高抗冲击因子、高破坏阈值。该类晶体熔点高(>2400℃)，并且具有宽的发射光谱。在高功率、碟片、超快、中红外和可见光波段激光等方面具有重要应用前景。
2、目前主要报道的稀土倍半氧化物有两类：lu2o3和sc2o3等，可掺杂的离子很多，包括：yb3+、nd3+、er3+、tm3+、pr3+、dy3+、eu3+、tb3+、hf3+、cr3+等稀土离子和过度金属离子。据报道yb:sc2o3晶体在碟片激光器中最高达到了250w的激光输出，斜效率高达81％；在yb:lu2o3晶体中最高实现了997w的激光输出，斜效率为72％；但是yb:lu2o3陶瓷碟片激光器已经实...
【技术保护点】
1.一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述保温部(1)为氧化锆材料件；
3.根据权利要求1所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述热场结构还包括介于保温部(1)底部和发热部(2)之间的第一隔层(4)，所述第一隔层(4)为石墨材料件，所述第一隔层(4)呈板状，所述发热部(2)不与所述第一隔层(4)接触。
4.根据权利要求3所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述第一隔层(4)上下表面覆盖有第二隔层(5)，所述第二隔层(5)...
【技术特征摘要】
1.一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述保温部(1)为氧化锆材料件；
3.根据权利要求1所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述热场结构还包括介于保温部(1)底部和发热部(2)之间的第一隔层(4)，所述第一隔层(4)为石墨材料件，所述第一隔层(4)呈板状，所述发热部(2)不与所述第一隔层(4)接触。
4.根据权利要求3所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述第一隔层(4)上下表面覆盖有第二隔层(5)，所述第二隔层(5)为钽材料件，所述第二隔层(5)呈片状，所述发热部(2)与所述第二隔层(5)接触。
5.根据权利要求4所述的一种生长倍半氧化物晶体热场结构，其特征在于，所述热...
【专利技术属性】
技术研发人员：李健达，徐军，任永春，黄燚，曹笑，王庆国，唐慧丽，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：
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