一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件技术

本发明专利技术公开了一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件，方法包括以下步骤：向腔室内通入工艺气体，根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数以保持腔室状态稳定；以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，以进行全部或部分光刻胶的剥离。本发明专利技术无需高温即可对晶圆表面的生成物进行清理，可减少F离子腐蚀，也有利于避免因腔室温度加高带来的塌胶、糊胶，便于去除表面较硬的光刻胶，并且无需改造腔室，也不涉及产品本身结构限制，解决了生成物难以清理且清理后影响光刻胶去除的问题，适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片制造领域，特别涉及一种pad刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件。

技术介绍

1、在芯片制造过程中，钝化层(passivation layer，简称pad)要完成防划伤、防震动、防潮甚至是防辐射的功能，通常会有0.5～1.5um厚度的介质膜构成，一般会有氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者由这几种膜叠加而成。由于pad厚度较厚，刻蚀后生成物中的聚合物较多，聚合物中会有大量的c、f元素，附着在产品图形表面和刻蚀腔室内壁，这可能会加速产品图形表面铝的腐蚀，或造成设备异常而必须进行设备开腔保养清洗。

2、同时，由于pad膜层较厚，为了降低工艺时间、提升产能，通常会加高刻蚀功率并提高对产品的轰击。这样作为刻蚀掩蔽层的光刻胶因高能、长时间的刻蚀导致表面硬化，光刻胶去除时会有部分困难。因此生成物的去除和光刻胶的去除是目前面临的两大难点。

3、对于产片表面的生成物，现有技术中去除方式是由微波干法去胶加上湿法清洗去除，均属于化学反应，没有带有轰击性的去除手段；或者通过在刻蚀过程中添加少量的氧气，在刻蚀过程中将部分生成的聚合物物通过氧化去除；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述工艺气体包括氧气或混合气体，当工艺气体为混合气体时，混合气体中氧气占比不低于50％。

3.根据权利要求1所述的一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数，包括：

4.根据权利要求1或3所述的一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述摆阀位置选择30％～70％，所述气体流量选择600～1200sccm，所述工艺压力选择控压量程极值的30～95％...

【技术特征摘要】

1.一种pad刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种pad刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述工艺气体包括氧气或混合气体，当工艺气体为混合气体时，混合气体中氧气占比不低于50％。

3.根据权利要求1所述的一种pad刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数，包括：

4.根据权利要求1或3所述的一种pad刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述摆阀位置选择30％～70％，所述气体流量选择600～1200sccm，所述工艺压力选择控压量程极值的30～95％。

5.根据权利要求1所述的一种pad刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，所述以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，包括：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕菲，柳旭峰，王玉，夏华栋，夏杰，孙涛，张亮，蒋晓，
申请(专利权)人：浙江芯晟半导体科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：