【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是涉及一种纳米压印方法及纳米压印模具。
技术介绍
1、纳米压印技术是通过接触式压印完成的图形转移技术,不同于传统的光学光刻技术需要成本高昂的工艺设备,纳米压印技术可以低成本地制造纳米级分辨率的图案,已广泛应用于微流控芯片、生物芯片、衍射光学器件、各类型光栅、增强现实产品、虚拟现实产品的生产制造过程中,近年来也逐渐扩展应用至集成电路的制造领域中。
2、目前,缺陷率是限制纳米压印工艺应用于集成电路生产的瓶颈之一。图1显示为一种典型的纳米压印工艺的流程图,如图1所示,纳米压印工艺通常包括如下步骤:1)涂胶,将包括抗蚀剂的压印胶涂覆在基片上;2)填充,提供一带有浮雕图案的工作模具,在外力作用下将压印胶挤压到工作模具上的浮雕图案中;3)固化,在压印胶填充完成后,使压印胶固化;4)脱模,借助外力使工作模具脱离基片,即在衬底上留下带有图案的压印胶。
3、纳米压印工艺过程中最常见的缺陷归因于脱模后压印胶出现大量的图形缺陷,主要表现为图形缺失,即纳米压印所复制出的图形存在部分破损、缺失、不完整:对于多数应
...【技术保护点】
1.一种纳米压印方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:通过朝向所述工作模具与所述基板之间的间隙引入所述工作气体,置换所述环境气体,其中所述工作气体包括CO2、He、H2中的一种或组合。
3.根据权利要求2所述的纳米压印方法,其特征在于:于形成所述压印胶层的步骤之前或之后,将所述工作模具和所述基板置于所述密封腔室中,其中采用板对板式压印方式、辊对辊式压印方式、辊对板式压印方式和步进式压印方式中的一种或组合形成所述移印图案。
4.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于,填充所述微纳结构
...【技术特征摘要】
1.一种纳米压印方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:通过朝向所述工作模具与所述基板之间的间隙引入所述工作气体,置换所述环境气体,其中所述工作气体包括co2、he、h2中的一种或组合。
3.根据权利要求2所述的纳米压印方法,其特征在于:于形成所述压印胶层的步骤之前或之后,将所述工作模具和所述基板置于所述密封腔室中,其中采用板对板式压印方式、辊对辊式压印方式、辊对板式压印方式和步进式压印方式中的一种或组合形成所述移印图案。
4.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于,填充所述微纳结构之间孔隙的步骤之后,包括:
5.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:所述压印胶层包括光致抗蚀剂层和光学功能材料层,填充所述微纳结构之间的孔隙的步骤,包括:
6.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于,使转印后的所述压印胶层固化的步骤,还包括:
7.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:于置换后的密封腔室内使所述压印胶层发生形变而填充所述微纳结构之间的孔隙...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵建国,陈妍如,
申请(专利权)人:联合微电子中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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