【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言，涉及一种平板电容器及其制作方法。
技术介绍
1、平板电容器中具有相对设置的上极板和下极板，在平板电容器感测如声音，压力，气流等的应用过程中，上极板和下极板之间的距离会发生变化，从而通过上极板和下极板之间的电容的变化来感知信号，为了防止上极板与下极板在靠近时粘连在一起，通常会在上极板靠近下极板的一侧设置防粘连结构，但是目前设有的防粘连结构存在防粘连效果较差的缺陷，上极板中的防粘连结构在接触到下极板之后比较难与下极板分开，导致降低平板电容器的可靠性和重复使用次数，基于此，如何提升平板电容器中防粘连结构的防粘连效果是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供了一种平板电容器及其制作方法，基于本申请提供的技术方案能提升平板电容器中防粘连结构的防粘连效果。
2、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
3、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种平板电容器，包括：衬底，设置有通孔；支撑层，设置在所述衬底一侧；第一极板薄膜层，设置在所述支撑层的远离所述衬底一侧，覆盖所述通孔；隔垫层，包括层叠设置在所述第一极板薄膜层的远离所述支撑层一侧的第一子隔垫层和第二子隔垫层；第二极板薄膜层，设置在所述第二子隔垫层的远离所述第一极板薄膜层一侧，与所述第一极板薄膜层相对设置；其中，所述第二极板薄膜层的靠近所述第一极板薄膜层的一侧设置有至少一个防粘连结构，所述防粘连结构的靠近所述第一极板薄膜层的一端
4、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述尖锐部包括呈尖角状的尖端，所述尖端的角度大于或等于30°且小于或等于50°。
5、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述第二极板薄膜层的远离所述第一极板薄膜层一侧的表面具有第一凹槽，所述第一凹槽正对于所述防粘连结构设置。
6、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述防粘连结构的高度与所述隔垫层的高度的比值为1/4～1/2。
7、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第二极板薄膜层在未设置有所述防粘连结构处的高度大于所述第一极板薄膜层的高度。
8、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述第一极板薄膜层包括多晶硅，所述第二极板薄膜层包括多晶硅和氮化硅。
9、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种平板电容器的制作方法，用于制备如上述第一方面任一实施例所述的平板电容器，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧依次形成支撑层，第一极板薄膜层和第一牺牲层；在所述第一牺牲层制作至少一个第二凹槽；在所述第一牺牲层的形成有所述第二凹槽的表面生长第二牺牲层，所述第二牺牲层填充所述第二凹槽，并在所述第二凹槽的位置处形成尖角状的凹坑；在所述第二牺牲层上制作第二极板薄膜层，所述第二极板薄膜层包括至少一个防粘连结构，所述防粘连结构由形成所述第二极板薄膜层的极板薄膜材料填满所述凹坑得到；在所述第二极板薄膜层上制作第一释放孔；在所述衬底上制作第二释放孔；通过所述第一释放孔释放部分所述第一牺牲层和部分所述第二牺牲层，以及通过所述第二释放孔释放部分所述支撑层。
10、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，各个所述第二凹槽的深度相等，且所述第二凹槽的深度等于所述第一牺牲层的厚度。
11、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，各个所述第二凹槽的宽度相等，且所述第二牺牲层的厚度大于或等于所述第二凹槽的宽度的一半。
12、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述在所述第一牺牲层制作至少一个第二凹槽，包括：依次对所述第一牺牲层进行光刻处理和干法刻蚀处理，以在所述第一牺牲层形成至少一个第二凹槽。
13、本申请的技术方案，提供的平板电容器中设置的防粘连结构具有尖锐部，具有尖锐部意味着防粘连结构的靠近第一极板薄膜层的一端的面积较小，使得在第一极板薄膜层与第二极板薄膜层靠近时，即使防粘连结构的尖锐部接触到第一极板薄膜层，防粘连结构也容易与第一极板薄膜层分开，从而提升了防粘连结构的防粘连效果，能有效的防止第一极板薄膜层和第二极板薄膜层在振动过程中贴合在一起不能分开的现象，进而提升平板电容器的可靠性和重复使用次数。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种平板电容器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，所述尖锐部包括呈尖角状的尖端，所述尖端的角度大于或等于30°且小于或等于50°。
3.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，所述第二极板薄膜层的远离所述第一极板薄膜层一侧的表面具有第一凹槽，所述第一凹槽正对于所述防粘连结构设置。
4.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述防粘连结构的高度与所述隔垫层的高度的比值为1/4～1/2。
5.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第二极板薄膜层在未设置有所述防粘连结构处的高度大于所述第一极板薄膜层的高度。
6.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，所述第一极板薄膜层包括多晶硅，所述第二极板薄膜层包括多晶硅和氮化硅。
7.一种平板电容器的制作方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-6任一项所述的平板电容器，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，各个所述第二凹槽的
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，各个所述第二凹槽的宽度相等，且所述第二牺牲层的厚度大于或等于所述第二凹槽的宽度的一半。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一牺牲层制作至少一个第二凹槽，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种平板电容器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，所述尖锐部包括呈尖角状的尖端，所述尖端的角度大于或等于30°且小于或等于50°。
3.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，所述第二极板薄膜层的远离所述第一极板薄膜层一侧的表面具有第一凹槽，所述第一凹槽正对于所述防粘连结构设置。
4.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述防粘连结构的高度与所述隔垫层的高度的比值为1/4～1/2。
5.根据权利要求1所述的平板电容器，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第二极板薄膜层在未设置有所述防粘连结构处的高度大于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞飞，徐琦，徐宝盈，李健飞，杨志政，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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