瞬态侦测电路制造技术

本发明专利技术涉及一种瞬态侦测电路，耦接于一第一电源线以及一第二电源线之间。该瞬态侦测电路包括，一第一控制单元、一设定单元以及一稳压单元。第一控制单元产生一第一控制信号。当一静电放电事件发生时，该第一控制信号为一第一位准。当该静电放电事件未发生时，该第一控制信号为一第二位准。设定单元用以设定一第一节点。当该第一控制信号为该第一位准，该第一节点被设定成该第二位准。稳压单元用以维持该第一节点的位准。当该第一控制信号为该第二位准时，该第一节点被维持在该第二位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种瞬态侦测电路(transient detection circuit),特别是有关于 一种用以侦测静电放电(electrostatic discharge; ESD)的瞬态侦测电路。
技术介绍
对于集成电路而言，静电放电(Electrostatic discharge; ESD)事件为可靠 度上相当重要的课题之一。为了符合元件层级(component-levd)的ESD规范， 可将ESD保护电路加在CMOS IC的输入/输出单元(1/0 cell)以及电源线(VDD 及VSS)之中。除此之外，针对CMOSIC产品，在元件层级ESD应力中，系 统层级(system level)的ESD可靠度逐渐受到重视。根据电磁兼容 (electromagnetic compatibility; EMC)规范，对于系统层级的ESD可靠度测试 需更将严格。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种瞬态侦测电路，用以侦测静电放 电事件。为了实现上述目的，本专利技术提出一种瞬态侦测电路，耦接于一第一电源线 以及一第二电源线之间。该瞬态侦测电路包括， 一第一控制单元、 一设定单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态侦测电路，其特征在于，耦接于一第一电源线以及一第二电源线之间，该瞬态侦测电路包括：　一第一控制单元，产生一第一控制信号，当一静电放电事件发生时，该第一控制信号为一第一位准，当该静电放电事件未发生时，该第一控制信号为一第二位准； 　一设定单元，用以设定一第一节点，当该第一控制信号为该第一位准，该第一节点被设定成该第二位准；以及　一稳压单元，用以维持该第一节点的位准，当该第一控制信号为该第二位准时，该第一节点被维持在该第二位准。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，颜承正，廖期圣，陈东旸，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]