【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子封装领域,尤其涉及一种高铜厚基板制备方法。
技术介绍
1、近年来,随着电子设备的发展快速,对电子设备中的电路基板的需求越来越高,人们对电路板的精细度越加重视。
2、在目前大多数的铜厚基板制备过程中,往往使用负片间距制备法或者正片间距制备法来进行制备,但是负片间距制备在电镀较厚的铜厚时,往往会出现铜厚堆叠的错位,从而造成基板线路的微短路,而正片间距制备在电镀较厚的铜厚时,往往会出现电镀渗漏的情况并在电镀后容易粘连电镀膜,从而造成需要增加去膜工艺,增加了制备成本。
技术实现思路
1、本申请实施例的主要目的在于提出一种高铜厚基板制备方法,能够根据第一表面凹槽的大小确定基板铜厚的厚度,提高了高铜厚基板的制备能力,减少因制备高铜厚过程中出现堆叠错位的情况,提高了高铜厚基板的精细度。
2、第一方面,为实现上述目的,本申请实施例提出了一种高铜厚基板制备方法,包括以下步骤:
3、获取目标承载板和多个目标光阻;
4、基于预设固定间距,将多个目标光
...【技术保护点】
1.一种高铜厚基板制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高铜厚基板制备方法,其特征在于,多个所述第一金属层的位置与多个所述第一表面凹槽的位置一一对应,多个第二金属层的位置与多个所述第一金属层的位置一一对应,所述第一金属层覆盖于对应的所述第一表面凹槽的上方,所述第二金属层覆盖于对应的第一金属层的上方,所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度,所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和等于对应的所述第一表面凹槽的凹口高度。
3.根据权利要求1所述的高铜厚基板制备方法,其特征在于,所述对所述第一半成品基板的多个所述第一表面凹槽进行金
...【技术特征摘要】
1.一种高铜厚基板制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高铜厚基板制备方法,其特征在于,多个所述第一金属层的位置与多个所述第一表面凹槽的位置一一对应,多个第二金属层的位置与多个所述第一金属层的位置一一对应,所述第一金属层覆盖于对应的所述第一表面凹槽的上方,所述第二金属层覆盖于对应的第一金属层的上方,所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度,所述第一金属层和所述第二金属层的厚度之和等于对应的所述第一表面凹槽的凹口高度。
3.根据权利要求1所述的高铜厚基板制备方法,其特征在于,所述对所述第一半成品基板的多个所述第一表面凹槽进行金属电镀填充处理,得到所述第一目标高铜厚基板,包括;对所述第一半成品基板的多个所述第一表面凹槽进行浅层金属电镀处理,得到第二半成品基板;其中,所述第二半成品基板包括所述基板底座和多个所述第一金属层,所述基板底座包括多个所述第一表面凹槽;
4.根据权利要求3所述的高铜厚基板制备方法,其特征在于,所述对所述第一半成品基板的多个所述第一表面凹槽进行浅层金属电镀处理,得到第二半成品基板,包括;
5....
【专利技术属性】
技术研发人员:赵信杰,赖超,赖俊崇,梁先平,
申请(专利权)人:江门市浩远电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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