发光二极管结构的电镀制程改良方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管结构的电镀制程改良方法，其在制程过程中利用遮镀冶具覆盖于发光二极管结构的胶座周围以及胶座的凹陷部的底部，进而形成一层金属反射层于发光二极管结构上遮镀冶具所未覆盖的区域，最后移除遮镀冶具后，即可以完成在胶座表面以及胶座的凹陷部的侧面上形成一层金属反射层的技术手段，可以解决发光二极管结构在电镀金属反射层时，采取激光方式进行切割绝缘制程时所容易导致胶座损坏以及切割区域烧焦的问题，藉此可以达成发光二极管结构的电镀制程良率提升的技术功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的电镀制程改良方法，尤其指一种在电镀制程中通过遮镀冶具覆盖发光二极管结构，以实现于发光二极管结构镀上金属反射层的发光二极管的电镀制程改良方法。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode， LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如移动电话及个人数位助理(Personal Digital Assistant, PDA)萤幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。 通常发光二极管晶片是通过表面粘贴技术(Surface Mount Device, SMD)或是覆晶接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，而胶座以及支架的内部结构对于发光二极管晶片的发光效果具有直接性的影响，为了使发光二极管晶片的发光效率提高，请参考图1所示，图1绘示为先前技术的发光二极管电镀结构剖面示意图，现有的做法即为在胶座91、胶座91的凹陷部92以及凹陷部92内的支架93镀上一层金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，包含下列步骤：于一金属板上形成以阵列方式排列的复数组支架单元与复数个胶座，每组支架单元与一胶座对应，其中各该胶座分别具有一凹陷部，各该支架单元分别具有至少二支架，该些支架的一端是暴露于该凹陷部内；以一遮镀冶具覆盖于各该胶座周围以及各该胶座的该凹陷部的底部；及形成一金属反射层于该遮镀冶具未覆盖的区域。

【技术特征摘要】
一种发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，包含下列步骤于一金属板上形成以阵列方式排列的复数组支架单元与复数个胶座，每组支架单元与一胶座对应，其中各该胶座分别具有一凹陷部，各该支架单元分别具有至少二支架，该些支架的一端是暴露于该凹陷部内；以一遮镀冶具覆盖于各该胶座周围以及各该胶座的该凹陷部的底部；及形成一金属反射层于该遮镀冶具未覆盖的区域。2. 如权利要求1所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中以该遮镀冶具覆盖于各该胶座的该凹陷部的底部是完全覆盖该凹陷部的底部。3. 如权利要求1所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中以该遮镀冶具覆盖于各该胶座的该凹陷部的底部是覆盖于该些支架之间的一第一绝缘部。4. 如权利要求1 、2或3所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中以该遮镀冶具覆盖于各该胶座的该凹陷部的底部更包含覆盖于该凹陷部的侧边的底部，以形成一第二绝缘部。5. 如权利要求4所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中该凹陷部的侧边的底部定义为自该凹陷部的底部沿该凹陷部的侧边起算不超过侧边长度十分之一的部分。6. 如权利要求1所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中该些支架单元是以冲压方式所制成各该支架单元的该些支架。7. 如权利要求1所述的发光二极管结构的电镀制程改良方法，其特征在于，其中该金属反射层是选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士杰，黄玟苍，蔡瑞光，
申请(专利权)人：一诠精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]