【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管（英文全称：light emitting diode，简称：led）是一种电致发光的半导体发光器件，因其具有能耗低、体积小、寿命长，稳定性好、响应快、发光波长稳定等优势，目前已经在照明、显示、医疗、光通信等领域被广泛地应用。
2、led芯片按照结构可分为正装led芯片、倒装led芯片、垂直led芯片，其中，倒装led芯片具有大电流驱动、芯片热阻较低、可靠性较高等优势。而根据主要反射层的不同，倒装led芯片又可以被细分为银镜倒装led芯片、分布布拉格反射镜（英文全称：distributedbragg reflector，简称：dbr）倒装led芯片和全方位反射镜（英文全称：omni directionalreflector，简称：odr）倒装led芯片，其中，银镜倒装led芯片采用银膜作为反射层，并凭借不同角度均具有高反射率、导电效率高的优势，备受行业青睐。
3、相关技术中，在针对具有更高综合反射率的、具有层叠设置的电流扩展层+增透层+银反射层的银镜反射结构的产品开发过程中，申请人发现，通过使增透层具有一定倾斜角度的斜坡，能够改善后续形成的银反射层的金属原子/金属离子的侧镀问题，进而改善银反射层的边缘翘金、脱落问题。但使增透层具有一定倾斜角度的斜坡，需要借助湿法腐蚀工艺，而湿法腐蚀工艺的均匀性难以控制，容易造成增透层各区域的厚度差异增大，进而影响led芯片亮度均一性，降低产品良率。因此，如何在改善银反射层的边缘翘金、脱落问题的同
技术实现思路
1、本申请提供一种led芯片及其制备方法，能够有效解决相关技术中的led芯片存在的，难以在改善金属反射层的边缘翘金、脱落问题的同时，兼顾增透层各区域的厚度均一性的问题。
2、第一方面，本申请提供一种led芯片，所述led芯片包括：外延层；电流扩展层，设置在所述外延层的一侧；增透层，设置在所述电流扩展层背离所述外延层的一侧；第一功能层，设置在所述增透层背离所述电流扩展层的一侧，并具有第一开口；金属反射层，设置在所述电流扩展层背离所述外延层的一侧，并位于所述第一开口内；其中，在所述增透层背离所述电流扩展层的方向上，所述第一开口的直径逐渐增大，且所述增透层对第一溶液的耐腐蚀性大于所第一功能层对所述第一溶液的耐腐蚀性。
3、可选的，所述增透层的折射率小于所述电流扩展层的折射率，所述增透层的折射率小于所述第一功能层的折射率。
4、可选的，所述增透层的侧壁、所述电流扩展层的侧壁、所述外延层的侧壁上覆盖有连续设置的所述第一功能层，且所述第一功能层为绝缘层。
5、可选的，所述增透层的材质包括二氧化硅，所述第一功能层的材质包括三氧化二铝，所述第一溶液包括碱性溶液。
6、可选的，所述第一开口的侧壁与所述第一开口的侧壁在所述增透层上的正投影之间的夹角为第一夹角，所述第一夹角的大小为10°至60°。
7、可选的，所述金属反射层的材质包括银，所述金属反射层通过溅射的方式形成于所述第一开口内。
8、第二方面，本申请提供一种led芯片的制备方法，所述led芯片的制备方法包括以下步骤：
9、形成层叠设置的外延层和电流扩展层；
10、对所述电流扩展层和所述外延层进行图案化处理，形成图案化的电流扩展层和图案化的外延层；
11、在所述电流扩展层上形成图案化的增透层；
12、在所述增透层上形成第一功能层；
13、在所述第一功能层上形成图案化的光刻胶层；
14、以所述光刻胶层为掩模版，利用第一溶液对所述第一功能层进行腐蚀，形成图案化的第一功能层，所述第一功能层具有第一开口，其中，在所述增透层背离所述电流扩展层的方向上，所述第一开口的直径逐渐增大，且所述增透层对第一溶液的耐腐蚀性大于所第一功能层对所述第一溶液的耐腐蚀性；
15、形成金属反射层，其中，所述金属反射层包括覆盖所述光刻胶层的金属反射层和位于所述第一开口内的金属反射层；
16、剥离覆盖所述光刻胶层的金属反射层，并去除所述光刻胶层。
17、可选的，所述增透层的材质包括二氧化硅，所述第一功能层的材质包括三氧化二铝，所述第一溶液包括碱性溶液。
18、可选的，所述形成金属反射层的步骤中，所述金属反射层通过溅射的方式形成。
19、可选的，所述在所述第一功能层上形成图案化的光刻胶层的步骤中，所述光刻胶层的材质包括负性光刻胶，所述光刻胶层具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对应，其中，在所述增透层背离所述电流扩展层的方向上，所述第二开口的直径逐渐减小。
20、本申请提供一种led芯片及其制备方法，所述led芯片包括外延层、电流扩展层、增透层、第一功能层和金属反射层，其中，所述电流扩展层设置在所述外延层的一侧；所述增透层设置在所述电流扩展层背离所述外延层的一侧；所述第一功能层设置在所述增透层背离所述电流扩展层的一侧，并具有第一开口；金属反射层设置在所述电流扩展层背离所述外延层的一侧，并位于所述第一开口内；其中，在所述增透层背离所述电流扩展层的方向上，所述第一开口的直径逐渐增大，且所述增透层对第一溶液的耐腐蚀性大于所述第一功能层对所述第一溶液的耐腐蚀性，本申请提供的所述led芯片及其制备方法，能够在改善银反射层的边缘翘金、脱落问题的同时，兼顾增透层各区域的厚度均一性，进而提高led 芯片的亮度均匀性，提高产品良率，降低生产制造成本。
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1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述增透层的折射率小于所述电流扩展层的折射率，所述增透层的折射率小于所述第一功能层的折射率。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述增透层的侧壁、所述电流扩展层的侧壁、所述外延层的侧壁上覆盖有连续设置的所述第一功能层，且所述第一功能层为绝缘层。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述增透层的材质包括二氧化硅，所述第一功能层的材质包括三氧化二铝，所述第一溶液包括碱性溶液。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开口的侧壁与所述第一开口的侧壁在所述增透层上的正投影之间的夹角为第一夹角，所述第一夹角的大小为10°至60°。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属反射层的材质包括银，所述金属反射层通过溅射的方式形成于所述第一开口内。
7.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述LED芯片的制备方法包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的LE
9.根据权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述形成金属反射层的步骤中，所述金属反射层通过溅射的方式形成。
10.根据权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一功能层上形成图案化的光刻胶层的步骤中，所述光刻胶层的材质包括负性光刻胶，所述光刻胶层具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对应，其中，在所述增透层背离所述电流扩展层的方向上，所述第二开口的直径逐渐减小。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片包括：
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述增透层的折射率小于所述电流扩展层的折射率，所述增透层的折射率小于所述第一功能层的折射率。
3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述增透层的侧壁、所述电流扩展层的侧壁、所述外延层的侧壁上覆盖有连续设置的所述第一功能层，且所述第一功能层为绝缘层。
4.根据权利要求3所述的led芯片，其特征在于，所述增透层的材质包括二氧化硅，所述第一功能层的材质包括三氧化二铝，所述第一溶液包括碱性溶液。
5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一开口的侧壁与所述第一开口的侧壁在所述增透层上的正投影之间的夹角为第一夹角，所述第一夹角的大小为10°至60°。
6.根据权利要求1所述的led芯片，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：史洁，李立，刘芳，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯张家港半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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