光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法技术方案

本公开涉及一种光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法。光学邻近修正方法包括以下步骤。提供光罩设计版图，光罩设计版图包括：依序排列的多个单元图形。确定光罩设计版图的中心区域和边缘区域；其中，位于中心区域内的单元图形为第一单元图形，位于边缘区域内的单元图形为第二单元图形。对第一单元图形进行基于数据的光学邻近修正，对第二单元图形进行基于模型的光学邻近修正，获得光罩版图。上述光学邻近修正方法提高了单元图形的CDU以及半导体良率。此外，还大大提高了光学邻近修正的运行周期。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路，特别是涉及一种光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法。

技术介绍

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。

2、然而，dram对存储单元的临界尺寸均匀性(critical dimension uniformity，简称cdu)要求较高，单元图形的cdu好坏直接影响了dram半导体器件的良率。在先进半导体节点的研发中，单元图形的cdu优化是光刻工艺的一大挑战。

3、因此，如何提高单元图形的cdu，进而提高dram半导体器件的良率，也成为了相关技术中一个亟待解决的难题。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法，可以提高单元图形的cdu，进而提高dram半导体器件的良率。

2、为了实现上述目的，首先，本公开一些实施例提供了一种光学邻近修正方法，包括以下步骤。

3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述确定所述光罩设计版图的中心区域和边缘区域，包括：

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述边缘区域的外边界线和其内边界线之间的距离不小于1.5μm。

4.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一单元图形进行基于数据的光学邻近修正，包括：

6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述光罩设计版图中的多个所述第一单...

【技术特征摘要】

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述确定所述光罩设计版图的中心区域和边缘区域，包括：

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述边缘区域的外边界线和其内边界线之间的距离不小于1.5μm。

4.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一单元图形进行基于数据的光学邻近修正，包括：

6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述光罩设计版图中的多个所述第一单元图形转换为所述第一单元修正图形，包括：

7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第二单元图形进行基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘蕊华，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：