【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路芯片制造领域，尤其是涉及一种导电吸附膜及抛光头。
技术介绍
1、晶圆衬底和半导体器件制造过程包含抛光、表面平坦化等工艺，通常采用机械抛光，化学机械抛光或平坦化等技术，通过晶圆载头(抛光头)向晶背加压，控制压力、抛光头转速、抛光盘转速、抛光液液体流量等参数，在抛光垫上对晶圆衬底正表面或薄膜表面进行抛光或平坦化处理。和机械抛光相比，化学机械抛光和化学机械抛光平坦化通过对抛光液配方的调整，在晶圆表面产生化学反应，可以实现更高的抛光或平坦化处理效率，同时可以实现更好的抛光或平坦化处理效果，包括更高的平整度、更低的缺陷度等。在化学机械抛光和平坦化的基础上，电化学机械抛光和平坦化可以进一步利用晶圆衬底或晶圆表面薄膜的导电特性，形成电流通路，在晶圆衬底或薄膜表面进行电化学反应，通过电路系统的精密控制，提高表面化学反应速度，进而提高机械抛光和平坦化效率。
2、在电化学机械抛光和平坦化设备工艺中，电路架构设计是电化学机械抛光、平坦化设备的关键。当前的电路架构基本上是通过晶圆、抛光垫、化学液、抛光平台、电极、电源之间...
【技术保护点】
1.一种导电吸附膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：其局部具有导电性或整体具有导电性。
3.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：多个导电单元的电阻相同或相近。
4.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：所述导电单元间隔分布于所述柔性基体的外表面；或者，所述导电单元连续分布于所述柔性基体的外表面；或者，所述导电单元至少部分位于柔性基体内部；或者，导电单元间隔分布于所述柔性基体的外表面、导电单元连续分布于所述柔性基体的外表面和导电单元至少部分位于柔性基体内部的两种及三种形式组合。
...【技术特征摘要】
1.一种导电吸附膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：其局部具有导电性或整体具有导电性。
3.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：多个导电单元的电阻相同或相近。
4.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：所述导电单元间隔分布于所述柔性基体的外表面；或者，所述导电单元连续分布于所述柔性基体的外表面；或者，所述导电单元至少部分位于柔性基体内部；或者，导电单元间隔分布于所述柔性基体的外表面、导电单元连续分布于所述柔性基体的外表面和导电单元至少部分位于柔性基体内部的两种及三种形式组合。
5.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：多个导电单元相连可形成导电面。
6.根据权利要求4所述的导电吸附膜，其特征在于：柔性基体加工过程掺入导电材料以作为导电单元；导电材料为一种或两种及以上。
7.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：多个导电单元形成柔性导电部件，该柔性导电部件设于所述柔性基体表面，或者该柔性导电部件设于所述柔性基体内部，且至少部分暴露在柔性基体表面。
8.根据权利要求7所述的导电吸附膜，其特征在于：所述柔性导电部件的水平投影面积占导电吸附膜的水平投影面积的0.1-1。
9.根据权利要求7所述的导电吸附膜，其特征在于：所述柔性导电部件为柔性金属网或为碳布或为柔性导电箔；所述柔性导电部件的数量为一个或两个及以上；所述柔性导电部件的形状为圆形，或为椭圆形，或为多边形，或为星形。
10.根据权利要求1所述的导电吸附膜，其特征在于：多个导电单元形成金属片，该金属片正面暴露于柔性基体的表面，背面连接有导电连接件；或者，该金属片贯穿设置在所述柔性基体内；或者，该金属片至少包覆柔性基体的一侧表面和/或厚度方向侧壁。
11.根据权利要求10所述的导电吸附膜，其特征在于：所述金属片的厚度占柔性基体厚度的0.8-1.0；或者，所述柔性基体的厚度占金属片厚度的0.2-1.0。
12.根据权利要求10所述的导电吸附膜，其特征在于：所述金属片的水平投影面积占柔性基体的水平投影面积的5-60％；或者，所述柔性基体的水平投影面积占金属片的水平投影面积的5-60％。
...【专利技术属性】
技术研发人员：顾海洋，邓耀敏，郑晟良，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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