【技术实现步骤摘要】
本文描述和说明的主题涉及用于去除碳化硅层的方法，以及用于清洁外延反应器部件的过程和设备。
技术介绍
1、碳化硅器件的最新发展要求使用外延反应器或炉来沉积和热处理能够在非常高的温度(通常为1600-1800℃)下工作的碳化硅。
2、通过化学气相沉积(称为cvd)在高温下外延沉积碳化硅层是半导体工业中使用的制造过程。
3、碳化硅外延反应器通常由覆盖有碳化硅薄层的石墨部件构成。
4、在反应器中的衬底或晶片上外延沉积碳化硅期间，反应器室的部件也经受碳化硅的假沉积，碳化硅在这些部件上累积直至达到毫米厚度。
5、这些假沉积允许反应器室使用相对较短的时间，例如几周或几个月。
6、此后，必须将室从反应器中取出，并通常进行处理以去除由假沉积产生的碳化硅层。
7、迄今为止，还没有已知的适用于此目的的“湿法清洁”过程(使用酸、碱或氧化剂)。
8、目前，使用涉及特殊砂纸和手工劳动的机械研磨过程。使用这些过程不可能获得完全清洁的表面，尤其是几何形状不是线性的地方。这意味着当室部件...
【技术保护点】
1.一种用于从块状件(200)去除碳化硅层(220)的方法(100)，其中，所述块状件(200)包括在碳化硅层(220)下面的石墨衬底(210)，其中该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，所述方法还包括旨在使碳化硅层(220)从块状件(200)脱离的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中，旨在导致脱离的所述步骤与步骤b)全部或部分重叠。
4.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，在步骤a)和步骤b)之间有至少一个中间步骤。
5.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，步骤...
【技术特征摘要】
1.一种用于从块状件(200)去除碳化硅层(220)的方法(100)，其中，所述块状件(200)包括在碳化硅层(220)下面的石墨衬底(210)，其中该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，所述方法还包括旨在使碳化硅层(220)从块状件(200)脱离的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中，旨在导致脱离的所述步骤与步骤b)全部或部分重叠。
4.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，在步骤a)和步骤b)之间有至少一个中间步骤。
5.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，步骤b)紧接着步骤a)。
6.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，该方法包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法包括以下步骤：
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法包括以下步骤：
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，该方法还包括清洗步骤。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，所述氧化剂是氧化性盐，特别选自高锰酸钾和重铬酸钾。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，所述第一预定温度和/或所述第二预定温度和/或所述第三预定温度在10℃至45℃的范围内选择，特别...
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