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去除碳化硅层的方法及清洁外延反应器部件的方法和设备技术
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下载去除碳化硅层的方法及清洁外延反应器部件的方法和设备的技术资料
文档序号:42651534
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创新方法(100)用于从块状件去除碳化硅层;块状件包括碳化硅层下面的石墨衬底;该方法依次包括以下步骤:a)将块状件浸入(110)含硝酸的第一溶液中,b)将块状件浸入(120)含氢氟酸和氧化剂的第二溶液中,并且通常c)将块状件浸入(130)优...
该专利属于LPE公司所有,仅供学习研究参考,未经过LPE公司授权不得商用。
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