【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及沟槽型功率半导体器件制作方法。
技术介绍
1、第三代宽禁带半导体材料以sic和gan为代表，是继以si/ge和gaas/inp为代表的第一代、第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料，拥有高功率、高频率、耐高压高温等特性，是用于新能源汽车、5g基站、光伏储能、数据中心等新兴领域的理想材料。
2、相关技术提出了基于第三代宽禁带半导体材料的沟槽型功率半导体器件。功率半导体器件(power electronic device)主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安培，电压为数百伏以上)，相对于传统的平面型功率半导体器件，沟槽型功率半导体器件是一种电流垂直流向的器件，具有集成度高，导通电阻小的优点。
3、如何进一步提升沟槽型功率半导体器件的性能，是业界普遍考虑的课题。
4、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供沟槽型功率半导体器件制作方法，克服了现有技术中沟槽型功率半导体器件性能不佳的技术问题。
2、本公开实施例提供一种沟槽型功率半导体器件制作方法，其包括：
3、提供半导体衬底，在所述半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽；
4、在所述半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽之后，在退火气氛中进行退
5、在所述退火处理之后，在所述沟槽内填充导电结构。
6、在一些实施例中，沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
7、在退火气氛中进行退火处理之前，执行高温热氧化，并去除在所述高温热氧化形成的氧化层。
8、在一些实施例中，所述氧化层的厚度为20-40nm。
9、在一些实施例中，所述去除在所述高温热氧化形成的氧化层，包括：
10、使用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层。
11、在一些实施例中，所述退火气氛包括：氩气；或者，氢气和硅烷气体中的至少一种与氩气的混合气体。
12、在一些实施例中，在所述退火处理过程中，退火温度为1300-1700℃。
13、在一些实施例中，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
14、在退火气氛中进行退火处理之前，在所述第一表面形成保护膜以露出所述沟槽的内壁，并在所述退火处理之后去除所述保护膜。
15、在一些实施例中，所述保护膜为光刻胶或者碳膜。
16、在一些实施例中，所述在所述第一表面形成保护膜，包括：
17、在所述沟槽内壁及第一表面沉积保护膜材料；
18、使用图形化工艺去除所述沟槽的内壁的保护膜材料，剩余的所述第一表面的保护膜材料作为所述保护膜。
19、在一些实施例中，所述沟槽型功率半导体器件为沟槽型肖特基二极管或者沟槽型mos管。
20、在一些实施例中，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括如下所述半导体衬底的形成方法：
21、提供半导体衬底本体，所述半导体衬底本体中具有第一类型掺杂离子；
22、在所述半导体衬底本体上外延生长外延层，所述外延层具有第一类型掺杂离子，所述第一表面形成于所述外延层背离所述半导体衬底本体的一面，所述沟槽形成于所述外延层，所述半导体衬底本体和所述外延层构成所述半导体衬底；
23、所述沟槽型功率半导体器件为沟槽型mos管，所述导电结构被配置为栅极，所述半导体衬底本体被配置为漏极区，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：在所述沟槽内填充导电结构之前，在所述沟槽的内壁制作栅介质层；以及在所述外延层中掺杂第一类型掺杂离子以得到源极区，所述源极区位于所述沟槽的一侧。
24、本专利技术的沟槽型功率半导体器件制作方法具有如下优点：
25、在沟槽型功率半导体器件制作方法中，在所述半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽之后，在退火气氛中进行退火处理以修复沟槽的内壁。其中，退火是一种高温热处理工艺，高温气氛可以消除沟槽底部的微沟槽，得到表面光滑的沟槽，同时沟槽顶端及底部生成圆滑的倒角，在修复后的沟槽内制备导电结构，可以防止沟槽拐角电场集中导致击穿，提升沟槽型功率半导体器件的器件性能。
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1.一种沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为20-40nm。
4.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述去除在所述高温热氧化形成的氧化层，包括：
5.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述退火气氛包括：氩气；或者，氢气和硅烷气体中的至少一种与氩气的混合气体。
6.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，在所述退火处理过程中，退火温度为1300-1700℃。
7.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
8.根据权利要求7所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述保护膜为光刻胶或者碳膜。
9.根据权利要求7所述的沟槽型功率半导体器件制作方
10.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件为沟槽型肖特基二极管或者沟槽型MOS管。
11.根据权利要求10所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括如下所述半导体衬底的形成方法：
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为20-40nm。
4.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述去除在所述高温热氧化形成的氧化层，包括：
5.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述退火气氛包括：氩气；或者，氢气和硅烷气体中的至少一种与氩气的混合气体。
6.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，在所述退火处理过程中，退...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉华，吴剑波，李杰，冷国庆，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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