【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及沟槽型功率半导体器件制作方法。
技术介绍
1、第三代宽禁带半导体材料以sic和gan为代表，是继以si/ge和gaas/inp为代表的第一代、第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料，拥有高功率、高频率、耐高压高温等特性，是用于新能源汽车、5g基站、光伏储能、数据中心等新兴领域的理想材料。
2、相关技术提出了基于第三代宽禁带半导体材料的沟槽型功率半导体器件。功率半导体器件(power electronic device)主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安培，电压为数百伏以上)，相对于传统的平面型功率半导体器件，沟槽型功率半导体器件是一种电流垂直流向的器件，具有集成度高，导通电阻小的优点。
3、如何进一步提升沟槽型功率半导体器件的性能，是业界普遍考虑的课题。
4、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述沟槽型功率半导体器件制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为20-40nm。
4.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述去除在所述高温热氧化形成的氧化层，包括：
5.根据权利要求2所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述退火气氛包括：氩气；或者，氢气和硅烷气体中的至少一种与氩气的混合气体。
6.根据权利要求1所述的沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，在所述退火处理过程中，退...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉华，吴剑波，李杰，冷国庆，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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