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本发明提供了沟槽型功率半导体器件制作方法，在半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽之后，在退火气氛中进行退火处理以修复沟槽的内壁，之后在沟槽中填充导电结构。其中，退火是一种高温热处理工艺，高温气氛可以消除沟槽底部的微沟槽，得到表面光滑的沟槽，同时沟槽...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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