一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法，该光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，该光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，该源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，该沟道层位于衬底上，该沟道层为铝镓氧氮薄膜。该光电探测薄膜晶体管能够实现在紫外光波段的较好的响应，并尽量减少可见光波段的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电器件，具体涉及一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、随着物联网的飞速发展，光电探测器占据了越来越重要的地位，其中，氧化镓(ga2o3)是优秀的光敏材料。氧化镓为直接带隙半导体材料，禁带宽度为4.2～5.3ev，天然覆盖了深紫外光波段，在吸收边附近有着高达105cm-1的吸收系数，并且可以承受高达8mv/cm的电场强度，抗辐射能力强。同时ga2o3材料不昂贵、丰度高。非晶氧化镓(a-ga2o3)薄膜可低温、大面积均匀制备，具有低制造成本、易柔性化等优势。可见，非晶氧化镓在光电应用中具有独特的优势。氧化镓(ga2o3)以其禁带宽度特性，在紫外探测领域展现出显著的应用潜力。

2、公开号为cn114823977a的专利技术专利申请公开了一种氧化镓光电探测器的制备方法，包括：对衬底进行预处理；利用真空沉积法在衬底上形成氧化镓薄膜；将氧化镓薄膜进行预退火处理，提高氧化镓薄膜的结晶度；将预退火处理后的氧化镓薄膜在含氢氛围内进行退火处理，钝化氧化镓薄膜的晶体缺陷；在退火处理后的氧化镓薄膜上形成电极。通过预退火处理和退火处理能在保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所述光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，所述光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，所述沟道层位于衬底上，所述沟道层为铝镓氧氮薄膜。

2.根据权利要求1所述的光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所述铝镓氧氮薄膜的化学式为AlaGabOyNz，各元素的原子百分比为，1at％≤a≤10at％，35at％≤b≤45at％，40at％≤y≤50at％，10at％≤z≤17at％，且a+b+y+z＝100。

3.根据权利要求2所述的光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所铝镓氧氮薄...

【技术特征摘要】

1.一种光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所述光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，所述光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，所述沟道层位于衬底上，所述沟道层为铝镓氧氮薄膜。

2.根据权利要求1所述的光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所述铝镓氧氮薄膜的化学式为alagaboynz，各元素的原子百分比为，1at％≤a≤10at％，35at％≤b≤45at％，40at％≤y≤50at％，10at％≤z≤17at％，且a+b+y+z＝100。

3.根据权利要求2所述的光电探测薄膜晶体管，其特征在于，所铝镓氧氮薄膜为非晶材料，所述沟道层的带隙为3.7ev-4ev。

4.根据权利要求3所述的光电探测薄膜晶体管，其特征在于，al在al和ga中的原子百分比为2.38-3.32。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凌燕，任俊彦，曹鸿涛，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：