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本发明公开了一种光电探测薄膜晶体管及其制备方法，该光电探测薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构，该光电探测薄膜晶体管包括衬底、沟道层、源电极和漏电极，该源电极和漏电极相互绝缘且间隔设置在沟道层上，该沟道层位于衬底上，该沟道层为铝镓氧氮薄膜。该光电...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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