【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种，特别是有关于一种具有错误修正码容量设定单元的， 该闪存控制器及方法依据闪存的使用状态来设定。
技术介绍
闪存(flash memory)是一种非挥发性内存，即使移除供应电源之后仍能保存数 据。非与门(Not AND, NAND)型式的内存是一种闪存，具有高密度特性，并且优于其它种类 的内存。特别是NAND闪存具有较大的储存容量、较佳的内存存取速度以及低成本的特点。 在高阶的闪存制程中，错误修正码(error correction code，ECC)是NAND闪存控 制器的常用功能。具有多层式芯片(multi-level cell)的NAND闪存的成本较低，广泛应 用于固态碟机(solid state drive, SSD)。然而多层式芯片的NAND闪存亦有缺点，例如读 取耐久性(read endurance)不佳，而较差的读取耐久性的多层式芯片NAND闪存导致固态 碟机(SSD)的可靠度下降。有鉴于此，确有必要发展一种新式的闪存，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种， 以依据闪存的使用状态来提升该闪存控制器的错误修正...
【技术保护点】
一种闪存控制器，其特征在于：该闪存控制器包括：一控制单元，用以产生一读取命令，以读取该闪存的一数据内容，其中该闪存具有一数据区域，以储存该数据内容，并且具有一第一备用区域，以储存相对应于该数据内容的一第一错误修正码（ＥＣＣ）值；一缓冲器，用以储存来自于该闪存的数据区域的该数据内容；一错误修正码（ＥＣＣ）模组，分别耦接于该控制单元以及该缓冲器，利用该数据内容产生一第二错误修正码（ＥＣＣ）值，并且比较该第二错误修正码（ＥＣＣ）值与该第一错误修正码（ＥＣＣ）值，以依据该比较结果来决定该数据内容是否存在若干个错误码；以及一设定单元，分别耦接于该错误修正码（ＥＣＣ）模组以及该控制单元...
【技术特征摘要】
一种闪存控制器，其特征在于该闪存控制器包括一控制单元，用以产生一读取命令，以读取该闪存的一数据内容，其中该闪存具有一数据区域，以储存该数据内容，并且具有一第一备用区域，以储存相对应于该数据内容的一第一错误修正码(ECC)值；一缓冲器，用以储存来自于该闪存的数据区域的该数据内容；一错误修正码(ECC)模组，分别耦接于该控制单元以及该缓冲器，利用该数据内容产生一第二错误修正码(ECC)值，并且比较该第二错误修正码(ECC)值与该第一错误修正码(ECC)值，以依据该比较结果来决定该数据内容是否存在若干个错误码；以及一设定单元，分别耦接于该错误修正码(ECC)模组以及该控制单元，当该数据内容存在该些个错误码时，该设定单元计算该些错误码的数量，以决定该错误码的数量是否超出一预定临界值；其中当该错误码的数量超出该预定临界值时，该设定单元透过该控制单元设定该闪存的该数据区域，以分配一部分的该数据区域作为一第二备用区域，其中该第一备用区域以及该第二备用区域的总储存容量相关于该错误修正码(ECC)容量，以使该错误修正码(ECC)模组修正该数据内容的该错误码。2. 如权利要求l所述的闪存控制器，其特征在于该第一备用区域更包括一计数区域， 以储存一计数值，并且依据该计数值来决定该设定单元是否设定该数据区域，以形成该第 二备用区域，当该计数值大于一预定计数值时，该设定单元设定该闪存，以分配一部分的该 数据区域作为该第二备用区域。3. 如权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于该预定计数值是该闪存的抹存计数 值(wear leveling counter)。4. 如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于当该些错误码的数量小于该预定临界值，该错误修正码(ECC)模组依据该第二错误修正码(ECC)值与该第一错误修正码(ECC) 值的比较结果来修正该些错误码。5. 如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于该错误修正码(ECC)容量表示该闪 存的若干个预定字节(bytes)的可修正若干字元(bits)数量。6. 如权利要求5所述的闪存控制器，其特征在于该第一备用区域与该第二备用区域 的总储存容量正相关于该错误修正码...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈如芃，
申请(专利权)人：创惟科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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