【技术实现步骤摘要】
本申请属于热屏制备，具体涉及一种石英内屏及其制备方法、热屏、热场及单晶炉。
技术介绍
1、在直拉法生产硅单晶的工艺中，通常需要在生长炉的四周形成热场，热屏是组成拉晶热场的重要部件，利用热屏包覆在换热装置外侧，以起到隔热保温作用，此外，热屏作为单晶炉中重要的热场件之一，其在热场中的形状结构会影响单晶炉的温度梯度。
2、相关技术中单晶硅生长炉中应用的热屏通常采用石墨材料支撑，但石墨热屏的成本较高，并且在单晶硅生长过程中会造成单晶硅碳含量增加。因而，亟需一种新的热屏产品。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种石英内屏及其制备方法、热屏、热场及单晶炉，本申请提供的石英内屏能够替换石墨热屏，解决石墨热屏的成本较高，且在单晶硅生长过程中会造成单晶硅碳含量增加的问题，且能形成良好的温度梯度。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请实施例提出了一种石英内屏，所述石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有沿第一方向相对的第一开口和第二开口，所述第...
【技术保护点】
1.一种石英内屏，其特征在于，所述石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有沿第一方向相对的第一开口和第二开口，所述第一开口的内径大于所述第二开口的内径，且所述石英内屏在所述第一开口处的壁厚与在所述第二开口处的壁厚的差值为：-1mm～1mm。
2.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述石英内屏上任意两个位置的壁厚差值为：-1mm～1mm；
3.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述石英内屏在所述第一开口处的外轮廓形成第一圆形，所述石英内屏在所述第二开口处的外轮廓形成第二圆形，所述第一圆形与所述第二圆形的同心度小于等于1mm；
...【技术特征摘要】
1.一种石英内屏，其特征在于，所述石英内屏设有中空型腔，所述中空型腔具有沿第一方向相对的第一开口和第二开口，所述第一开口的内径大于所述第二开口的内径，且所述石英内屏在所述第一开口处的壁厚与在所述第二开口处的壁厚的差值为：-1mm～1mm。
2.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述石英内屏上任意两个位置的壁厚差值为：-1mm～1mm；
3.根据权利要求1所述的石英内屏，其特征在于，所述石英内屏在所述第一开口处的外轮廓形成第一圆形，所述石英内屏在所述第二开口处的外轮廓形成第二圆形，所述第一圆形与所述第二圆形的同心度小于等于1mm；
4.一种石英内屏的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的石英内屏的制备方法，其特征在于，所述第一转速为v1，所述第二转速v2，满足：1.03≤v2/v1≤1.07...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅富然，孙继松，郭华盈，周洋，罗永剑，杨雪鹏，李济和，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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