突入电流限制器制造技术

本发明专利技术揭示一种在电源供应器中的突入电流限制器，其包含一电阻、一场效应晶体管与一栅极驱动器。在电源供应器的开机瞬间，该栅极驱动器未开启该场效应晶体管使得突入电流流经该电阻且被该电阻限制至一安全值。于电源供应器的稳态，该栅极驱动器已开启该场效应晶体管使得稳态电流流经该场效应晶体管且功率散逸被该场效应晶体管降低至一微小值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术揭示一种在电源供应器中的突入电流限制器，其利用一电阻以限制突 入电流以及一场效应晶体管以导通稳态电流。
技术介绍
在电源供应器的幵机瞬间，涌入电源供应器的电流称为突入电流(inrush current)。为保护电源供应器免被突入电流损害，突入电流限制器(inrush current limiter)通常用以限制突入电流至一安全值。现有的以热敏电阻(thermistor)实施的高压侧突入电流限制器(high-side inrush current limiter)与低压侧突入电流限制器(low-side inrush current limiter)的电路图分别示于图la与图lb，其中桥式整流器BD用以将交流弦波输 入电压整流成直流弦波输入电压；具有一负温度系数(negative temperature coefficient)的热敏电阻RT，其在低温下具有一高电阻值且在高温下具有一低电 阻值，用以限制突入电流；功率因素修正器(power factor corrector) PFC用以 提高电源供应器的功率因素(power factor); (*)用以表示PFC存在或不存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种突入电流限制器，包含：　一场效应晶体管，其具有一受电端、一释电端与一栅极；　一限流电阻，其连接在该场效应晶体管的受电端与释电端间；以及　一栅极驱动器，连接该场效应晶体管的栅极与释电端间，其中该栅极驱动器包含一ＰＮＰ双极 晶体管、一第一二极管、一第一电阻、一第一电容、一第二二极管与一驱动线圈，该ＰＮＰ双极晶体管的发射极与集电极分别连接该场效应晶体管的栅极与释电端，该第一二极管的阴极与阳极分别连接该ＰＮＰ双极晶体管的发射极与基极，该第一电阻连接于该ＰＮＰ双极晶体管的集电极与基极间，该第一电容的负极与正极分别连接该驱动线圈的第一端与该该ＰＮＰ双极晶体管的基极，该...

【技术特征摘要】
1.一种突入电流限制器，包含一场效应晶体管，其具有一受电端、一释电端与一栅极；一限流电阻，其连接在该场效应晶体管的受电端与释电端间；以及一栅极驱动器，连接该场效应晶体管的栅极与释电端间，其中该栅极驱动器包含一PNP双极晶体管、一第一二极管、一第一电阻、一第一电容、一第二二极管与一驱动线圈，该PNP双极晶体管的发射极与集电极分别连接该场效应晶体管的栅极与释电端，该第一二极管的阴极与阳极分别连接该PNP双极晶体管的发射极与基极，该第一电阻连接于该PNP双极晶体管的集电极与基极间，该第一电容的负极与正极分别连接该驱动线圈的第一端与该该PNP双极晶体管的基极，该驱动线圈的第二端连接该第二二极管的阳极，该第二二极管的阴极连接该第一电容的正极。2. 根据权利要求1所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受 电端与释电端分别连接于一电源供应器的一桥式整流器的正端与一直流直流转换 器间，该驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该释电端，该驱动线圈衍生自该 直流直流转换器的一输出电感或变压器的线圈，该直流直流转换器为一逆向式转换 器、 一顺向式转换器、 一推挽式转换器、 一半桥式转换器、 一全桥式转换器或一谐 振式转换器。3. 根据权利要求1所述的突入电流限制器，其特征在于该栅极驱动器还包含 一第二电容与一第二电阻，该第二电容连接在该PNP双极晶体管的发射极与集电极 间，该第二电阻连接在该第一电容的正极与该PNP双极晶体管的基极间。4. 根据权利要求3所述的突入电流限制器，其特征在于该场效应晶体管的受 电端与释电端连接于一电源供应器的一直流直流转换器与一桥式整流器负端间，该 驱动线圈的第一端连接该场效应晶体管的该受电端，该驱动线圈衍生自该直流直流 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志良，余金生，翁博泰，
申请(专利权)人：洋鑫科技股份有限公司，王志良，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]