【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及磁性电子器件领域。更具体地讲，涉及一种磁存储结构及磁存储模块。
技术介绍
1、物理实体加密是保障设备信息安全的一个重要研究课题。相关技术中，物理实体加密一般基于物理不可克隆函数（physical unclonable function，puf），将工艺变化和物理随机性转化为随机码，以进行密钥生成和身份验证。
2、基于硅基晶体管的延时特性计算的随机码很容易被破解，一般采用非易失性存储器（如磁性随机存取存储器mram）的设备随机性来提高随机码的安全性，但是，设备的随机性导致实现随机码的存储部分不能存储信息，减少了存储器的可存储空间。因此，亟需提供一种同时进行加密和存储的存储结构。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种磁存储结构及磁存储模块，旨在解决上述技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种磁存储结构，包括：
3、磁隧道结、在所述磁隧道结下方布置的底电极层；
4、所述底电极层通入与所述磁隧道结的磁化方向平行或反平行的puf...
【技术保护点】
1.一种磁存储结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于；
3.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述磁隧道结包括自由层；
4.根据权利要求3所述的磁存储结构，其特征在于，所述底电极层通入所述PUF电流，使所述反铁磁层退磁，所述PUF电流为热电流。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁存储结构，其特征在于，所述底电极层包括第一底电极结构和第二底电极结构，所述第一底电极结构和所述第二底电极结构交叉布置；
6.根据权利要求1至4中任一项所述的磁存储结构，其特征在于，所述磁...
【技术特征摘要】
1.一种磁存储结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于；
3.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述磁隧道结包括自由层；
4.根据权利要求3所述的磁存储结构，其特征在于，所述底电极层通入所述puf电流，使所述反铁磁层退磁，所述puf电流为热电流。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁存储结构，其特征在于，所述底电极层包括第一底电极结构和第二底电极结构，所述第一底电极结构和所述第二底电极结构交叉布置；
6.根据权利要求1至4中任一项所述的磁存储结构，其特征在于，所述磁存储结构还包括在所述磁隧道结上方电连接的顶电极层；
7.根据权利要求1至4中任一项所述的磁存储结构，其特征在于，所述磁存储结构还包括在所述磁隧道结上方电连接的顶电极层；
8.一种磁存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：范晓飞，张中魁，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：青岛海存微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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