【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，特别是指一种闪存分析方法、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、当闪存(flash)的数据出现一些意外错误时，比如解码失败、flash编程失败、错误校验码(error correcting code，ecc)偏高等情况时，最常见的分析方法是绘制电压分布图，但阈值电压分布图本身所包含的信息比较有限，仅凭阈值电压分布图无法准确定位所有异常问题，因此缺少其它更高效的flash分析手段。
技术实现思路
1、鉴于以上内容，有必要提供一种闪存分析方法、电子设备及存储介质，以通过获取各个存储单元中的相对电子数量，对闪存的异常情况进行辅助分析与快速定位。
2、本申请的第一方面提供一种闪存分析方法，所述闪存分析方法包括：
3、确定闪存的各个存储单元的相对电子数量；
4、根据各个存储单元的相对电子数量生成存储单元窥视图及/或存储单元窥视色阶图；
5、根据所述存储单元窥视图及/或所述存储单元窥视色阶图对所述闪存进行异常分析。
6、根据本申...
【技术保护点】
1.一种闪存分析方法，其特征在于，所述闪存分析方法包括：
2.根据权利要求1所述的闪存分析方法，其特征在于，所述确定闪存的各个存储单元的相对电子数量包括：
3.根据权利要求2所述的闪存分析方法，其特征在于，通过偏移所述阈值电压分布图的判决线来获取所述存储单元的相对电子数量包括：
4.根据权利要求3所述的闪存分析方法，其特征在于，所述根据所述第一数据及所述第二数据判断所述存储单元是否发生了比特值的翻转变化包括：
5.根据权利要求3所述的闪存分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求3所述的闪存分析...
【技术特征摘要】
1.一种闪存分析方法，其特征在于，所述闪存分析方法包括：
2.根据权利要求1所述的闪存分析方法，其特征在于，所述确定闪存的各个存储单元的相对电子数量包括：
3.根据权利要求2所述的闪存分析方法，其特征在于，通过偏移所述阈值电压分布图的判决线来获取所述存储单元的相对电子数量包括：
4.根据权利要求3所述的闪存分析方法，其特征在于，所述根据所述第一数据及所述第二数据判断所述存储单元是否发生了比特值的翻转变化包括：
5.根据权利要求3所述的闪存分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求3所述的闪存分析方法，其特征在于，在所述偏移所述阈值电压分布图的判决线一个单位之前，所述方法还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：周博，
申请(专利权)人：中山市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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